CY8550 Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 3 pollici

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 3 pollici Descrizione

Questo substrato di cristallo di silicio (Si), con orientamento cristallografico (111) e diametro di 3 pollici, è stato progettato per offrire prestazioni superiori nei processi di semiconduttori all'avanguardia. La sua struttura cristallina altamente ordinata garantisce un'eccellente uniformità e proprietà elettriche ottimali, rendendolo ideale per applicazioni avanzate come la microelettronica, la fotonica e la fabbricazione di sensori. Grazie alla bassa densità di difetti e all'eccezionale planarità della superficie, questo substrato garantisce caratteristiche affidabili dei dispositivi e risultati di produzione costanti.

Prodotto secondo i più severi standard industriali, ogni wafer è sottoposto a rigorosi protocolli di controllo della qualità, tra cui misurazioni di precisione dello spessore e ispezioni meticolose della superficie. Questa attenta cura dei dettagli contribuisce a garantire rendimenti uniformi e prestazioni stabili dei dispositivi, consentendo a ricercatori e produttori di mantenere parametri di processo precisi. Scegliete questo substrato di cristallo di silicio (111) per ottenere il massimo livello di affidabilità e prestazioni nei vostri progetti più impegnativi.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 3 pollici Applicazioni

Il substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 3 pollici è un wafer di alta qualità noto per l'eccellente orientamento dei cristalli, l'affidabilità e l'uniformità. Con un controllo preciso del drogaggio e difetti minimi, questo substrato fornisce una piattaforma stabile essenziale per la produzione e la ricerca avanzata. La sua superiore resistenza meccanica, la conducibilità termica e la versatilità funzionale lo rendono un componente fondamentale in numerose applicazioni industriali, scientifiche e commerciali.

1. Applicazioni industriali

-Produzione di dispositivi a semiconduttore ad alta efficienza, sfruttando il drogaggio uniforme del substrato e la minima densità di difetti

-Incollaggio robusto di wafer e fabbricazione di MEMS, garantendo resistenza meccanica e stabilità termica.

2. Applicazioni di ricerca

-Caratterizzazione di materiali all'avanguardia e prove di crescita di film sottili

-Esperimenti su scala quantistica che richiedono un orientamento cristallino costante per misure precise.

3. Applicazioni commerciali

-Sensori ottici e lavorazione al plasma, che fanno affidamento sull'elevata purezza e durata del wafer

-Prototipi di celle solari, dove il drogaggio controllato e la qualità cristallina superiore migliorano la conversione energetica.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 3 pollici Confezione

Ogni substrato di cristallo di silicio (Si) (111) con diametro di 3 pollici è sigillato singolarmente in una busta a doppio strato per camera bianca, riempita di gas inerte per il trattamento. Gli inserti in schiuma e i materiali antistatici proteggono il substrato dalle sollecitazioni meccaniche, mentre i contenitori a conchiglia sigillati bloccano la polvere e l'umidità. Conservare in un ambiente a temperatura e umidità controllate. La personalizzazione dell'imballaggio opzionale comprende etichette speciali, sacchetti sigillati sottovuoto e vassoi a dissipazione statica per una maggiore prevenzione della contaminazione.

Imballaggio: Sigillato sottovuoto, scatola di legno o personalizzato.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 3 pollici Domande frequenti

Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 3 pollici?

A1: I substrati di cristallo di silicio (Si) con orientamento (111), che misurano tre pollici di diametro, presentano in genere un elevato grado di perfezione cristallina, con basse densità di dislocazioni. Presentano un'eccellente conduttività termica, livelli di drogaggio moderati per una resistività elettrica mirata e una bassa rugosità superficiale (inferiore a 1 nm) per la fabbricazione di dispositivi. L'orientamento (111) è particolarmente adatto a determinati processi di crescita epitassiale, in quanto garantisce una qualità uniforme dello strato.

D2: Come deve essere maneggiato e conservato questo prodotto?

A2: La corretta manipolazione di un substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 3 pollici è essenziale per preservare la qualità della superficie ed evitare la contaminazione. Gli operatori devono utilizzare guanti da camera bianca e pinzette non abrasive, maneggiando i substrati solo dai bordi. Il substrato deve essere conservato in un supporto per wafer sicuro e sigillato sotto vuoto o in un ambiente con azoto per ridurre al minimo l'ossidazione. Il controllo della temperatura e dell'umidità è fondamentale per prevenire la deformazione, la formazione di crepe o il degrado superficiale indotto dall'umidità.

D3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano al substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 3 pollici?

A3: Il substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 3 pollici è tipicamente conforme agli standard SEMI M1 per i materiali semiconduttori, che riguardano le tolleranze dimensionali, la planarità della superficie, l'uniformità di drogaggio e il controllo dei difetti. Altri standard, come l'ISO 9001, assicurano una solida gestione della qualità, mentre i rigorosi processi di qualificazione dei fornitori garantiscono la purezza del substrato. La conformità alle normative ambientali e di sicurezza, tra cui RoHS e REACH, sottolinea ulteriormente l'impegno per l'affidabilità, la tracciabilità e l'accettazione globale dei prodotti.

Informazioni correlate

1. Proprietà e vantaggi del materiale

Ricavato da un cristallo singolo con orientamento (111), il substrato di cristallo di silicio (Si) Dia. 3 pollici presenta un eccellente allineamento atomico che migliora la mobilità dei portatori e riduce al minimo i difetti del cristallo. Questo orientamento fornisce anche una topografia superficiale distinta, che facilita la deposizione epitassiale uniforme, fondamentale per dispositivi elettronici affidabili. Inoltre, la raffinata disposizione del reticolo del substrato contribuisce a garantire uno spessore costante e danni minimi alla sottosuperficie, assicurando una stabilità meccanica superiore durante i processi ad alta temperatura.

Grazie a un'accurata lucidatura e a un rigoroso controllo dimensionale, questo substrato di cristallo di silicio (Si) soddisfa gli esigenti standard di qualità in termini di planarità e rugosità superficiale. Il diametro di 3 pollici consente ai produttori di ottimizzare i rendimenti di produzione senza compromettere l'integrità dei wafer. Offrendo un'elevata purezza cristallina e un'eccezionale conduttività termica, supporta complesse fasi di microfabbricazione come la litografia e il drogaggio, offrendo in definitiva prestazioni elevate sia nella ricerca che nelle applicazioni industriali.

2. Applicazioni nelle industrie avanzate

Utilizzato nella ricerca altamente specializzata sui semiconduttori, il substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 3 pollici svolge un ruolo fondamentale nello sviluppo di tecnologie innovative per l'elettronica di potenza e i circuiti integrati ad alta velocità. Il suo orientamento contribuisce a garantire un eccellente trasporto di carica, consentendo ai progettisti di dispositivi di ottenere la massima efficienza nelle loro applicazioni. Dai transistor ad alta frequenza ai sistemi microelettromeccanici avanzati (MEMS), questo substrato costituisce una base versatile per molti progetti all'avanguardia.

Adatti per componenti ottici di precisione, questi substrati sono utilizzati anche nelle applicazioni fotoniche e nei processi di produzione di sensori che richiedono un'integrità cristallina di alto livello. La loro capacità di supportare complesse integrazioni eterogenee apre nuove strade all'informatica quantistica e alle nanotecnologie, dove il controllo rigoroso delle proprietà dell'interfaccia è fondamentale. Combinando una stabilità termica superiore con una qualità superficiale costante, il substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 3 pollici soddisfa le esigenze in continua evoluzione delle industrie avanzate che puntano a superare i limiti delle prestazioni.