CY8549 Substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 3 pollici

Substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 3 pollici Descrizione

Questo substrato di cristallo di silicio (Si) di alta qualità presenta un orientamento dei cristalli (110) e un diametro di 3 pollici, che lo rendono una scelta privilegiata per la ricerca e la produzione di semiconduttori avanzati. La sua struttura reticolare orientata in modo uniforme garantisce un'eccellente mobilità dei portatori e difetti minimi, fornendo proprietà elettriche costanti ideali per lo sviluppo di MEMS, la fabbricazione di sensori e la microelettronica d'avanguardia.

Realizzato in base a rigorosi standard di qualità, il nostro substrato è sottoposto a rigorose ispezioni per verificare la planarità, l'uniformità dello spessore e la lucidatura della superficie. La sua superiore stabilità termica consente la lavorazione ad alta temperatura senza compromettere l'integrità strutturale. La bassa densità di difetti e l'eccezionale precisione cristallografica assicurano risultati riproducibili in vari processi di deposizione e incisione. Utilizzato per la ricerca, la prototipazione di dispositivi o la produzione su larga scala, questo substrato di silicio (110) offre prestazioni affidabili, sostenendo l'innovazione nell'elettronica e nell'optoelettronica moderne.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 3 pollici Applicazioni

Il substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 3 pollici offre un orientamento superficiale stabile e proprietà cristallografiche eccezionali, ideali per una serie di applicazioni ad alte prestazioni. L'orientamento (110) consente una maggiore mobilità degli elettroni e una migliore efficienza dei dispositivi, rendendo questo substrato la scelta preferita per le tecnologie avanzate. Il diametro preciso di 3 pollici garantisce inoltre l'uniformità nei processi a film sottile e nella fabbricazione dei dispositivi.

1. Applicazioni industriali

-Applicazione 1: Imballaggio microelettronico - Lo spessore uniforme favorisce un'integrazione affidabile dei dispositivi e un assemblaggio efficiente nell'imballaggio microelettronico.

-Applicazione 2: Produzione di dispositivi di potenza - L'orientamento superficiale (110) eccelle nella gestione di tensioni elevate, aumentando le prestazioni dell'elettronica di potenza.

2. Applicazioni di ricerca

-Applicazione 1: esplorazione di dispositivi quantistici - L'elevata cristallinità favorisce la ricerca avanzata di nuove strutture e dispositivi quantistici.

-Applicazione 2: Studi sulla fotonica - La sua bassa densità di difetti è alla base di ricerche su tecnologie ottiche e fotoniche all'avanguardia.

3. Applicazioni commerciali

-Applicazione 1: Sviluppo di sensori - La maggiore mobilità degli elettroni aiuta a creare elementi di sensori sensibili e precisi.

-Applicazione 2: Componenti per display - Il diametro di 3 pollici soddisfa gli standard industriali per i pannelli di visualizzazione e i sistemi di imaging di prossima generazione.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 3 pollici Confezione

Ogni substrato di cristallo di silicio (Si) da 3 pollici con orientamento (110) viene consegnato in una busta di polietilene antistatica racchiusa in scatole rivestite di schiuma per evitare danni meccanici. La confezione sigillata impedisce la contaminazione da polvere e umidità. Per mantenere la qualità, conservare in un ambiente a bassa umidità e lontano dalla luce solare diretta. Ulteriori opzioni di personalizzazione, come imballaggi o etichettature speciali, sono disponibili su richiesta per soddisfare specifiche esigenze di laboratorio o di produzione.

Imballaggio: Sigillato sotto vuoto, scatola di legno o personalizzato.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 3 pollici FAQ

Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 3 pollici?

A1: Il substrato di cristallo di silicio (Si) (110) con un diametro di 3 pollici presenta in genere un'elevata purezza, un preciso orientamento cristallino e un'eccellente conduttività termica. In particolare, l'orientamento (110) offre proprietà anisotropiche uniche che favoriscono le applicazioni elettroniche avanzate. La densità del substrato è di circa 2,33 g/cm³, con un coefficiente di espansione termica di 2,6×10^-6/K. La sua finitura superficiale è spesso lucidata ad alto livello, consentendo la fabbricazione affidabile di dispositivi per la microelettronica e i MEMS.

D2: Come deve essere maneggiato e conservato questo prodotto?

A2: La manipolazione corretta prevede l'uso di guanti da camera bianca per evitare la contaminazione e l'uso di cinghie da polso con messa a terra per evitare danni elettrostatici. Tenere sempre il substrato per i bordi per ridurre al minimo il contatto con la superficie lucida. Conservare i wafer di silicio in un ambiente pulito e asciutto, preferibilmente in appositi porta wafer o cassette. Il mantenimento di livelli stabili di temperatura e umidità è fondamentale per preservare l'integrità superficiale e le proprietà cristallografiche del substrato.

D3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano al substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 3 pollici?

A3: Questo substrato è generalmente conforme alle specifiche SEMI M1, che definiscono le caratteristiche del materiale, le tolleranze dimensionali e la qualità della superficie. I produttori spesso mantengono le certificazioni ISO 9001 per garantire un controllo di qualità costante e la tracciabilità durante la produzione. L'ispezione segue metodi metrologici standardizzati per lo spessore e la planarità della superficie, e per alcune applicazioni può essere richiesta la conformità a direttive ambientali come la RoHS. Queste certificazioni contribuiscono a garantire che i wafer soddisfino i rigorosi parametri di riferimento del settore in termini di prestazioni e affidabilità.

Informazioni correlate

1. Proprietà e vantaggi del materiale

Questo substrato di cristallo di silicio (Si) con diametro di 3 pollici e orientamento (110) è riconosciuto per l'eccezionale uniformità e la stabilità della disposizione dei reticoli, che contribuiscono direttamente a migliorare le prestazioni e l'affidabilità dei dispositivi. L'orientamento del substrato lungo il piano (110) garantisce una densità minima di dislocazioni, con il risultato di una struttura cristallina più consistente, in grado di gestire temperature elevate e ambienti ad alta pressione. La maggiore purezza chimica supporta inoltre un controllo preciso del drogaggio, consentendo proprietà di conduzione elettrica superiori, essenziali per le applicazioni di semiconduttori all'avanguardia.

La combinazione di uniformità di spessore e difetti superficiali minimi di questo substrato di silicio offre un'eccellente resistenza dielettrica per i processi di produzione critici. Questa caratteristica gli consente di mantenere la stabilità dimensionale durante fasi complesse, come la deposizione di film sottili e la fotolitografia. La robusta densità meccanica del wafer orientato a (110) fornisce anche un'elevata tolleranza alle sollecitazioni meccaniche, migliorando così la longevità e l'affidabilità di circuiti e sistemi elettronici complessi.

2. Applicazioni nelle industrie avanzate

Ampiamente utilizzato nella produzione di transistor e sensori ad alte prestazioni, il substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 3 pollici è particolarmente apprezzato in settori come le telecomunicazioni e l'aerospaziale. L'orientamento di questo wafer favorisce la riduzione dei tassi di difettosità nella creazione di componenti per microprocessori, garantendo un funzionamento più rapido dei dispositivi con una migliore efficienza energetica. Questo vantaggio riduce la generazione complessiva di calore nei vari circuiti integrati, riducendo così la probabilità di guasti al sistema nelle applicazioni mission-critical.

Anche le aziende che si concentrano sui sistemi microelettromeccanici (MEMS) e sui dispositivi optoelettronici di nuova generazione traggono notevoli vantaggi dall'affidabile struttura cristallografica del substrato. L'orientamento (110) consente un'incisione anisotropa più efficace, che è un fattore chiave per la creazione di canali e cavità di precisione per sensori e attuatori MEMS. Poiché la domanda di componenti elettronici più piccoli e più efficienti continua a crescere, questo substrato di silicio rimane un materiale fondamentale per le attività di ricerca e la produzione su larga scala nei settori tecnologici avanzati.