CY8548 Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 3 pollici

Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 3 pollici Descrizione

Realizzato in silicio monocristallino di elevata purezza, il nostro substrato di cristallo di silicio orientato a (100) offre un'eccezionale uniformità cristallina e una qualità superficiale straordinaria. Con un diametro di 3 pollici, è stato progettato con precisione per ridurre al minimo i difetti del reticolo, controllare in modo eccellente lo spessore e drogare in modo uniforme, rendendolo una piattaforma ideale per la ricerca e lo sviluppo di semiconduttori all'avanguardia. La sua bassa resistività elettrica e l'elevata conducibilità termica garantiscono una dissipazione del calore superiore e prestazioni stabili, fondamentali per la microelettronica avanzata, i sensori e i dispositivi fotonici.

Ogni substrato è sottoposto a un'ispezione rigorosa per soddisfare i severi protocolli industriali e gli standard di qualità, che garantiscono una planarità ottimale dei wafer, una bassa rugosità superficiale e livelli di purezza elevati. Sia che stiate producendo circuiti integrati, prototipi o componenti MEMS, il nostro substrato di cristalli di silicio (Si) è una base affidabile per qualsiasi applicazione ad alte prestazioni.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 3 pollici Applicazioni

I substrati di cristallo di silicio (Si) con orientamento (100), del diametro di 3 pollici, vantano un'eccezionale resistenza meccanica, conduttività termica e caratteristiche elettriche. Queste qualità li rendono una base ideale per numerose tecnologie avanzate. Grazie alla costanza del reticolo cristallino e alla presenza di difetti minimi, questi substrati supportano la deposizione di film sottili, la fabbricazione di dispositivi e molto altro ancora. Vediamo le principali applicazioni nei settori industriale, della ricerca e commerciale.

1. Applicazioni industriali

-Produzione di semiconduttori: La struttura cristallina uniforme dei substrati di silicio (100) è fondamentale per la produzione di microchip e circuiti integrati ad alte prestazioni.

-Fabbricazione di MEMS: la stabilità meccanica del substrato e la bassa densità di difetti lo rendono adatto alla costruzione di sistemi microelettromeccanici con geometrie precise.

2. Applicazioni di ricerca

-Studi su film sottili: i ricercatori utilizzano questi substrati per studiare nuovi materiali, come film dielettrici o superconduttori avanzati, grazie alle loro affidabili proprietà superficiali.

-Caratterizzazione su scala nanometrica: La superficie liscia e l'orientamento cristallografico ben definito facilitano l'imaging e l'analisi ad alta risoluzione negli esperimenti di nanotecnologia.

3. Applicazioni commerciali

-Celle solari: L'elevata purezza dei wafer di silicio (100) garantisce un efficiente assorbimento della luce per le soluzioni di energia rinnovabile.

-Produzione di LED: l'eccellente conducibilità termica del substrato favorisce un'efficace dissipazione del calore, garantendo prestazioni costanti dei LED e una maggiore durata del prodotto.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. Confezione da 3 pollici

Questi substrati di cristallo di silicio da 3 pollici di diametro (100) sono collocati con cura in vassoi robusti e privi di elettricità statica, rivestiti di schiuma per evitare danni e graffi. Ogni substrato viene poi sigillato sottovuoto in buste compatibili con la camera bianca per ridurre al minimo l'umidità e la contaminazione da particelle. Conservare in un ambiente controllato con temperatura stabile e bassa umidità. Per una maggiore protezione, sono disponibili su richiesta etichettature personalizzate, buste doppie e imballaggi in schiuma espansa per soddisfare requisiti di movimentazione e trasporto specifici.

Imballaggio: Sigillato sottovuoto, scatola di legno o personalizzato.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 3 pollici FAQ

Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 3 pollici?

A1: Il substrato di cristallo di silicio (Si) con orientamento (100) e diametro di 3 pollici è caratterizzato da uno spessore di 375-525 µm, da una bassa resistività (<1 Ω-cm per wafer fortemente drogati o superiore per wafer leggermente drogati) e da un'elevata purezza (99,9999% o superiore). La struttura a cristallo singolo garantisce caratteristiche elettriche e meccaniche uniformi, mentre l'orientamento (100) offre una planarità superficiale superiore. La conducibilità termica di circa 149 W/m-K garantisce un'efficiente dissipazione del calore durante la lavorazione del dispositivo.

D2: Come deve essere maneggiato e conservato questo prodotto?

A2: Il substrato deve essere maneggiato con guanti puliti e privi di pelucchi per evitare la contaminazione da particelle o le irregolarità della superficie. Si raccomanda di conservare i wafer in un ambiente di classe 100 o superiore, utilizzando supporti specializzati per wafer che riducano al minimo le vibrazioni e il contatto. Le temperature devono rimanere stabili tra i 18 e i 24°C, con un'umidità relativa inferiore al 40-50%, per evitare scariche elettrostatiche e preservare l'integrità della superficie nel tempo.

D3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano al substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 3 pollici?

A3: Questi substrati sono generalmente conformi alle specifiche SEMI M1 per quanto riguarda il diametro, le tolleranze di spessore, la qualità della superficie e l'accuratezza dell'orientamento. Molti produttori dispongono anche di certificazioni ISO 9001, che garantiscono processi produttivi coerenti e tracciabilità. Ulteriori controlli di qualità, come la bassa variazione di spessore totale (TTV) e le rigide soglie di densità dei difetti, contribuiscono a garantire che ogni wafer soddisfi i severi requisiti del settore per la microfabbricazione, il fotovoltaico e le applicazioni avanzate dei semiconduttori.

Informazioni correlate

1. Proprietà e vantaggi del materiale

Prodotto con concentrazioni bassissime di contaminanti metallici, il substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 3 pollici costituisce la base ideale per dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni. Il suo orientamento cristallino ben definito consente un comportamento elettrico prevedibile e una densità minima di difetti, con conseguente aumento della mobilità dei portatori e un rischio ridotto di dislocazioni che limitano le prestazioni. Questi attributi garantiscono che la struttura del wafer supporti processi litografici avanzati e tecniche di deposizione complesse, mantenendo una qualità costante in ogni lotto.

Nei processi di drogaggio si presta molta attenzione a mantenere precisi intervalli di resistività, assicurando che il substrato soddisfi i severi requisiti della produzione microelettronica. L'orientamento (100), in particolare, offre un'eccellente uniformità di incisione e uno spessore costante del wafer, fondamentale per la formazione di schemi circuitali altamente precisi. Questa combinazione di stabilità dimensionale, bassa rugosità superficiale e robusta resistenza meccanica rafforza ulteriormente l'idoneità del substrato per la fabbricazione di circuiti integrati all'avanguardia.

2. Applicazioni nelle industrie avanzate

I principali produttori di semiconduttori utilizzano questi wafer da 3 pollici (100) di orientamento per iniziative di ricerca e sviluppo volte a superare i limiti della scalabilità dei transistor e delle prestazioni dei chip. In campi specializzati come l'optoelettronica e la tecnologia dei sensori, la struttura cristallina del substrato, orientata con precisione, garantisce un rilevamento e una trasmissione affidabili dei segnali, contribuendo a migliorare la sensibilità e la precisione dei dispositivi. Inoltre, la stabilità di questo wafer nella lavorazione ad alta temperatura ne amplia l'uso in nuove applicazioni, tra cui l'elettronica di potenza e i sistemi microelettromeccanici.

Inoltre, il substrato di 3 pollici di diametro può ospitare un'ampia gamma di strumenti di processo e di apparecchiature di test, il che lo rende una scelta popolare sia per la prototipazione che per la produzione su piccola scala. È possibile applicare processi di rivestimento e profili di drogaggio specializzati per creare materiali personalizzati per gli esperimenti emergenti di nanoelettronica e di calcolo quantistico. Queste capacità uniche evidenziano la versatilità del substrato in diversi settori, assicurando che rimanga all'avanguardia nella produzione di dispositivi elettronici di prossima generazione.