CY8547 Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 2 pollici

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 2 pollici Descrizione

Sperimentate prestazioni superiori con il nostro substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 2 pollici, meticolosamente realizzato per la ricerca all'avanguardia nel campo dei semiconduttori e della fotonica. L'orientamento cristallografico (111) offre un'eccezionale qualità del cristallo, rendendolo ideale per la fabbricazione di dispositivi avanzati come l'elettronica di potenza e i sistemi microelettromeccanici (MEMS). Ogni substrato è lucidato a specchio e mantiene strette tolleranze di spessore, garantendo una densità minima di difetti e condizioni di lavorazione stabili.

I nostri wafer di silicio (111) soddisfano i più severi standard industriali e di qualità, comprese le ispezioni complete per la rugosità della superficie, l'integrità della struttura cristallina e la precisione dimensionale. Questa dedizione all'eccellenza garantisce risultati costanti e ripetibili sia nella ricerca e sviluppo che nella produzione in grandi volumi. Sia che stiate sviluppando nuove ottiche o circuiti integrati di nuova generazione, il nostro substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 2 pollici offre l'affidabilità e le prestazioni richieste.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 2 pollici Applicazioni

Il substrato di cristallo di silicio (Si) (111) con diametro di 2 pollici è un materiale chiave che presenta un'eccezionale uniformità strutturale, un orientamento definito e una notevole stabilità termica. L'orientamento (111) offre una superficie superiore per la crescita epitassiale, consentendo strati di alta qualità essenziali per la fabbricazione di dispositivi avanzati. Grazie al livello controllato di impurità e alla bassa densità di difetti, questo substrato garantisce precisione e affidabilità in diverse applicazioni industriali, di ricerca e commerciali.

1. Applicazioni industriali

-Applicazione 1: Produzione di sensori e attuatori ad alta temperatura, sfruttando la notevole stabilità termica del substrato.

-Applicazione 2: Dispositivi elettronici di potenza, che utilizzano la bassa densità di difetti per migliorare le prestazioni e la durata.

2. Applicazioni di ricerca

-Applicazione 1: Studi sull'informatica quantistica, sfruttando il controllo preciso del drogaggio per stabilizzare i qubit

-Applicazione 2: indagini di scienza dei materiali, per valutare la crescita cristallina e la formazione di difetti su superfici orientate a (111).

3. Applicazioni commerciali

-Applicazione 1: Produzione di massa di circuiti integrati di fascia alta, che beneficiano dell'uniformità strutturale.

-Applicazione 2: Tecnologie di visualizzazione di nuova generazione, che utilizzano la superficie cristallina superiore per una stratificazione epitassiale affidabile.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 2 pollici Confezione

Ogni substrato di cristallo di silicio (111) da 2 pollici di diametro è sigillato singolarmente sotto vuoto in un sacchetto protettivo di polietilene a basso contenuto di particelle, quindi imbottito di schiuma in un contenitore robusto e compatibile con la camera bianca. Per evitare contaminazioni, indossare guanti durante la manipolazione e conservare in un ambiente asciutto e climatizzato. Ulteriori strati antistatici e di barriera contro l'umidità garantiscono la massima purezza. Su richiesta sono disponibili etichette personalizzate, quantità di confezioni e contenitori speciali, per garantire la flessibilità necessaria a soddisfare le diverse esigenze di ricerca e produzione.

Imballaggio: Sigillato sotto vuoto, scatola di legno o personalizzato.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 2 pollici FAQ

Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 2 pollici?

A1: Il substrato di cristallo di silicio (Si) con orientamento (111) offre in genere una forte stabilità meccanica, un'elevata purezza cristallografica e livelli di drogaggio uniformi, se applicabili. Il diametro di 2 pollici corrisponde a un preciso standard di wafer per la ricerca e l'industria. La conducibilità termica è di circa 150 W/mK e il substrato ha solitamente uno spessore di 275-525 µm, che garantisce la compatibilità con vari processi di microfabbricazione.

D2: Come deve essere maneggiato e conservato il substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 2 pollici?

A2: Quando si maneggia il substrato di cristallo di silicio (Si), indossare sempre guanti senza polvere per evitare contaminazioni e impronte digitali. Utilizzare pinzette di plastica o di teflon per evitare graffi sulla fragile superficie del wafer. Conservare il substrato in un contenitore compatibile con la camera bianca, in condizioni di bassa umidità e senza polvere, per ridurre al minimo l'ossidazione e il particolato. Evitare sbalzi di temperatura, poiché gli shock termici possono causare deformazioni o microfratture.

Q3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano al substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 2 pollici?

A3: I substrati di cristallo di silicio (Si) sono generalmente conformi agli standard SEMI M1 che regolano le dimensioni dei wafer, la planarità della superficie e la purezza del materiale. Per la coerenza della produzione e la gestione della qualità possono essere applicate anche altre certificazioni ISO, come la ISO 9001. I fornitori spesso forniscono un certificato di conformità, che include la verifica della resistività e dello spessore. L'adesione a questi standard garantisce risultati affidabili e riproducibili per la fabbricazione di dispositivi, la ricerca sui semiconduttori e altre applicazioni complesse.

Informazioni correlate

1. Proprietà e vantaggi del materiale

Partendo da un piano (111) meticolosamente orientato, il substrato di cristallo di silicio (Si) Dia. 2 pollici presenta un'eccezionale uniformità cristallina che ne migliora l'integrità elettronica e strutturale. Questo orientamento riduce notevolmente i difetti reticolari, rendendolo particolarmente adatto alla fabbricazione di dispositivi avanzati in cui la coerenza e le prestazioni ad alta affidabilità sono fondamentali. Il diametro di precisione di 2 pollici garantisce un equilibrio ottimale tra la flessibilità del layout del dispositivo e la gestione dei costi, mentre le stabili caratteristiche di espansione termica del substrato riducono al minimo la distorsione durante la lavorazione ad alta temperatura.

Grazie al forte legame covalente, questo substrato di cristallo di silicio offre una base robusta in grado di resistere a una serie di applicazioni impegnative. La minore densità di difetti dell'orientamento (111) favorisce una mobilità superiore dei portatori, con conseguente trasporto più efficiente degli elettroni per l'elettronica di potenza e i circuiti ad alta velocità. Inoltre, l'elevata stabilità chimica e la finitura superficiale piatta favoriscono lo sviluppo di diversi strati a film sottile, aprendo la strada a nuove applicazioni nei sistemi microelettromeccanici (MEMS) e nei dispositivi quantistici.

2. Applicazioni nelle industrie avanzate

Grazie alla bassa rugosità superficiale e all'eccezionale orientamento dei cristalli, il substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 2 pollici è ampiamente utilizzato nella fabbricazione di transistor di potenza, sensori e altri dispositivi microelettronici all'avanguardia. La sua capacità di mantenere la fedeltà strutturale in condizioni di lavorazione aggressive lo rende un candidato privilegiato per l'integrazione di eterostrutture di semiconduttori composti, estendendo così la sua portata all'optoelettronica d'avanguardia. Questa combinazione di controllo preciso dello spessore e profili di drogaggio uniformi offre risultati affidabili, un fattore decisivo in settori che richiedono una qualità costante da lotto a lotto.

Le elaborate tecniche di litografia sfruttano anche la superficie del silicio (111) per ottenere una risoluzione fine delle linee, aprendo la strada a componenti fotonici e nanoelettronici avanzati. Sia che venga utilizzato nelle comunicazioni dati ad alte prestazioni o nei sistemi di sensori automobilistici specializzati, questo substrato si distingue per le sue caratteristiche elettriche costanti che facilitano il funzionamento stabile del dispositivo. Mentre vari settori continuano ad adottare tecnologie semiconduttore sempre più complesse, la capacità del substrato di silicio (111) di fornire un'integrazione fluida e una produzione ad alto rendimento rimane essenziale per spingere i confini dell'innovazione elettronica moderna.