Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 2 pollici Descrizione
Il substrato di cristallo di silicio (Si) di elevata purezza (100) con un diametro di 2 pollici è caratterizzato da una struttura cristallina coerente e da una qualità superficiale eccezionale. L'orientamento (100) garantisce un'uniformità ottimale, rendendolo una piattaforma affidabile per la microfabbricazione avanzata e la progettazione di dispositivi a semiconduttore. Con una densità di difetti minima e una resistività controllata con precisione, questo substrato è adatto a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui circuiti integrati, sensori e tecnologie fotovoltaiche.
Ogni substrato è sottoposto a rigorosi controlli di qualità per garantire la conformità agli standard industriali. La finitura superficiale lucida e le accurate tolleranze di spessore consentono di ottenere risultati di lavorazione ripetibili e ad alto rendimento, mentre le eccellenti proprietà termiche ed elettriche favoriscono la stabilità delle prestazioni dei dispositivi. Sia che venga utilizzato nei laboratori di ricerca che nelle linee di produzione ad alto volume, il nostro substrato di cristallo di silicio (Si) (100) offre la consistenza e l'affidabilità necessarie per i componenti elettronici di prossima generazione.
Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 2 pollici Applicazioni
I substrati di cristallo di silicio (Si) con orientamento (100) e diametro di 2 pollici sono riconosciuti per le loro eccezionali caratteristiche elettriche, l'eccellente conduttività termica e la superiore perfezione strutturale. I loro profili di drogaggio uniformi e i difetti minimi garantiscono risultati di alta qualità in una miriade di applicazioni, dalla microelettronica allo sviluppo di sensori, rendendoli la scelta ideale per la fabbricazione di dispositivi precisi e per i progressi tecnologici innovativi.
1. Applicazioni industriali
-Circuiti integrati ad alte prestazioni: La bassa densità di difetti e la struttura cristallina coerente del substrato migliorano l'affidabilità del dispositivo nei processi di fabbricazione avanzati.
-Moduli di elettronica di potenza: L'elevata conduttività termica consente un'efficiente dissipazione del calore, con conseguente miglioramento delle prestazioni nei sistemi ad alta intensità di potenza.
2. Applicazioni di ricerca
-Nuovi dispositivi a semiconduttore: Il controllo preciso del drogaggio e l'eccellente cristallinità supportano la sperimentazione di architetture di semiconduttori all'avanguardia.
-Studi sulla deposizione di film sottili: La superficie uniforme del substrato è ideale per analizzare rivestimenti innovativi e nuovi strati di materiale.
3. Applicazioni commerciali
-Sensori per l'elettronica di consumo: I bassi livelli di impurità e la stabilità della struttura cristallina garantiscono letture accurate dei sensori nei dispositivi di uso quotidiano.
-Componenti fotonici: L'elevata chiarezza ottica e l'uniformità del reticolo consentono lo sviluppo di circuiti fotonici avanzati e di ottiche integrate.
Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 2 pollici Confezione
Ogni substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 2 pollici è accuratamente confezionato con inserti di schiuma protettiva e sacchetti antistatici sigillati sotto vuoto. L'imballaggio è progettato per prevenire danni e contaminazioni, riducendo al minimo l'umidità e l'infiltrazione di particelle. Conservare i substrati in un ambiente asciutto e a temperatura controllata e maneggiarli con i guanti per mantenerne la purezza. Sono disponibili soluzioni di imballaggio personalizzate per soddisfare le esigenze di ricerca o di produzione, garantendo un trasporto sicuro e una protezione ottimale dei substrati.
Imballaggio: Sigillato sottovuoto, scatola di legno o personalizzato.
Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 2 pollici Domande frequenti
Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 2 pollici?
A1: Il substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 2 pollici è noto per la sua elevata cristallinità, il drogaggio uniforme e l'eccellente conduttività termica. La sua struttura a cristallo singolo garantisce difetti minimi, rendendolo ideale per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore. L'orientamento (100) garantisce un comportamento prevedibile all'incisione e proprietà elettriche costanti. Questi wafer presentano una bassa rugosità superficiale, un'elevata resistenza alla trazione e un coefficiente di espansione termica stabile, per prestazioni affidabili in applicazioni complesse.
D2: Quali sono le pratiche di manipolazione e conservazione consigliate per il substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 2 pollici?
A2: A causa dell'elevata purezza e della finitura superficiale di precisione, questi substrati devono essere maneggiati con guanti da camera bianca e conservati in un ambiente asciutto e privo di polvere. Evitare il contatto diretto con le dita nude e utilizzare solo pinzette o strumenti dedicati alla manipolazione dei wafer. Mantenere condizioni di temperatura e umidità stabili per prevenire la contaminazione e ridurre lo stress. Conservare i wafer in supporti specializzati per ridurre al minimo i danni meccanici.
Q3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano al substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 2 pollici?
A3: I substrati di cristallo di silicio (Si) di alta qualità (100) Dia. 2 pollici sono in genere conformi agli standard SEMI per la tolleranza di spessore, la planarità e la finitura superficiale. Molti fornitori possiedono anche le certificazioni ISO 9001 per garantire processi produttivi coerenti e tracciabilità. Altre certificazioni possono includere la conformità RoHS e REACH per le sostanze soggette a restrizioni. I test di laboratorio verificano la resistività, l'orientamento cristallografico e la densità dei difetti in linea con le norme del settore dei semiconduttori.
Informazioni correlate
1. Proprietà e vantaggi del materiale
Il substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 2 pollici presenta un'eccezionale stabilità termica, che lo rende la scelta ideale per le applicazioni ad alta temperatura nella lavorazione dei semiconduttori. Tale stabilità contribuisce a preservare l'integrità del wafer durante le fasi di fabbricazione dei dispositivi che possono comportare condizioni estreme. L'orientamento cristallino ben definito (100) fornisce caratteristiche elettriche uniformi e consente profili di incisione coerenti, fondamentali nella produzione di dispositivi su scala micro e nano.
La robusta resistenza meccanica del substrato garantisce una manipolazione affidabile e riduce il rischio di danni durante il trasporto o le operazioni di lavorazione. Grazie all'eccellente mobilità dei portatori e alla bassa densità di difetti, questo substrato di silicio supporta un movimento più rapido degli elettroni e prestazioni più elevate dei dispositivi in applicazioni come l'elettronica di potenza, i sensori e i circuiti integrati. Inoltre, la sua finitura superficiale liscia facilita una fotolitografia precisa e migliora l'adesione del film sottile in strutture complesse.
2. Misure di controllo della qualità
Durante l'intero ciclo di produzione vengono impiegati protocolli metrologici mirati per mantenere livelli di tolleranza rigorosi per quanto riguarda lo spessore, il diametro e la planarità. Metodi di ispezione avanzati, come la scansione automatizzata della superficie e la mappatura dei difetti, aiutano a rilevare eventuali micrograffi o imperfezioni cristalline che potrebbero compromettere la resa dei dispositivi. Questi rigorosi processi di ispezione assicurano un substrato di alta qualità in grado di supportare intricate architetture di dispositivi.
Le apparecchiature ad alta risoluzione vengono utilizzate per misurare la resistività e verificare la concentrazione di drogaggio, elementi fondamentali per ottenere le proprietà elettriche desiderate per le applicazioni finali. Questo livello di garanzia salvaguarda l'affidabilità e l'uniformità del prodotto nelle diverse fasi di produzione. Inoltre, i sistemi di tracciabilità integrati registrano ogni fase della creazione dei wafer, consentendo ai produttori di affrontare rapidamente eventuali deviazioni e di mantenere una fornitura sempre affidabile di substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 2 pollici.
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