CY8544 Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 1 pollice

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 1 pollice Descrizione

Scoprite una qualità e un'affidabilità eccezionali con il nostro substrato di cristallo di silicio (Si) (111), progettato con un diametro di 1 pollice per applicazioni microelettroniche e optoelettroniche di precisione. Realizzati con processi avanzati di crescita a cristallo singolo, questi substrati offrono un reticolo cristallino altamente uniforme e livelli di purezza superiori, garantendo difetti minimi e un'eccellente mobilità dei portatori. L'orientamento (111) offre caratteristiche elettriche e meccaniche distinte, che lo rendono ideale per i laboratori di ricerca, la produzione di semiconduttori e lo sviluppo di dispositivi all'avanguardia.

Ogni substrato soddisfa i rigorosi standard industriali per la planarità della superficie e la densità dei difetti, consentendo prestazioni costanti e variazioni ridotte nella fabbricazione dei dispositivi. Che si tratti di prototipazione per nanotecnologie innovative o di creazione di robusti circuiti integrati, il nostro substrato di cristallo di silicio (Si) (111) offre qualità, stabilità e riproducibilità affidabili per supportare i vostri sforzi di produzione e ricerca.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 1 pollice Applicazioni

Il substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 1 pollice è apprezzato per la sua precisa struttura molecolare e l'eccellente conduttività termica. Questo robusto substrato può adattarsi a diverse configurazioni, rendendosi indispensabile per i settori che richiedono componenti ad alte prestazioni. La sua superficie uniforme, unita a caratteristiche meccaniche affidabili, consente la fabbricazione di dispositivi all'avanguardia, mentre l'orientamento (111) migliora la crescita dei cristalli e i processi di deposizione in molteplici applicazioni.

1. Applicazioni industriali

-Fabbricazione di dispositivi microelettronici ad alta frequenza, dove l'orientamento (111) supporta la stratificazione di precisione e migliora le prestazioni.

-Produzione di sensori MEMS, sfruttando l'eccezionale stabilità termica e meccanica del substrato per un funzionamento affidabile del sensore.

2. Applicazioni di ricerca

-Studi avanzati di crescita epitassiale, utilizzando l'orientamento cristallino costante per esplorare nuovi materiali semiconduttori.

-Esperimenti di scienza dei materiali fondamentali, incentrati sui profili di drogaggio e sull'ingegneria del reticolo cristallino per l'elettronica di prossima generazione.

3. Applicazioni commerciali

-Tecnologia di imaging ad alta risoluzione, che beneficia dell'uniformità e della conduttività superiore del substrato per migliorare l'efficienza del sensore

-Componenti elettronici di consumo, che forniscono una piattaforma stabile per i circuiti integrati negli smartphone e in altri dispositivi portatili.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 1 pollice Confezione

Ogni substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 1 pollice è inserito singolarmente in un inserto di schiuma antistatica e sigillato in una busta a prova di umidità per camera bianca. La confezione è conservata a temperatura e umidità controllate per ridurre al minimo l'ossidazione e l'accumulo di particolato. Una scatola esterna protegge ulteriormente dagli urti, evitando la contaminazione durante il trasporto. La personalizzazione opzionale comprende il marchio personalizzato e l'etichettatura con codice a barre, per garantire una tracciabilità precisa per le applicazioni specializzate.

Imballaggio: Sigillato sotto vuoto, scatola di legno o personalizzato.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 1 pollice Domande frequenti

Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 1 pollice?

A1: Il substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 1 pollice è caratterizzato da un orientamento cristallino che favorisce un'elevata mobilità degli elettroni, difetti reticolari minimi ed eccellente uniformità. Con un bandgap di circa 1,12 eV, offre una buona conducibilità termica e una resistenza meccanica stabile. L'orientamento 111 del substrato è particolarmente utile per la crescita epitassiale avanzata e la fabbricazione di dispositivi, garantendo uno spessore costante dello strato, una bassa deformazione del wafer e un controllo preciso del drogaggio.

D2: Come deve essere maneggiato e conservato questo prodotto?

A2: Per una corretta manipolazione è necessario indossare guanti da camera bianca e utilizzare pinzette non metalliche per evitare la contaminazione. Conservare il substrato in un ambiente a bassa umidità, privo di polvere e a temperatura ambiente stabile, possibilmente in un contenitore antistatico per wafer. Evitare il contatto diretto con la pelle o l'esposizione a sostanze chimiche aggressive. Ispezionare regolarmente la superficie per verificare la presenza di danni o di accumuli di particelle. Maneggiare solo i bordi per mantenere la superficie incontaminata del cristallo, necessaria per garantire prestazioni affidabili del dispositivo e precisione di misura.

D3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano al substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 1 pollice?

A3: Questi substrati sono generalmente conformi agli standard SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International) per le tolleranze dimensionali, l'uniformità dello spessore e la densità dei difetti. Possono anche essere conformi alla gestione della qualità ISO 9001 per garantire la coerenza e l'affidabilità della produzione. Altre certificazioni possono includere la conformità REACH e RoHS, per garantire il rispetto delle normative ambientali e di sicurezza. I produttori sottopongono ogni lotto di substrato a rigorosi protocolli di ispezione per garantire la purezza, l'accuratezza dell'orientamento e la bassa contaminazione delle particelle.

Informazioni correlate

1. Proprietà e vantaggi del materiale

Progettato per soddisfare le esigenze dei semiconduttori, il substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 1 pollice offre un'eccezionale stabilità meccanica e uniformità su tutta la superficie. Con una struttura cristallina strettamente controllata, presenta una conducibilità termica superiore e parametri reticolari coerenti, che lo rendono una base affidabile per applicazioni microelettroniche di precisione.

Prodotto per soddisfare standard di elevata purezza, l'orientamento (111) di questo substrato fornisce un piano ideale per la crescita epitassiale complessa e la stratificazione dei dispositivi. Riducendo al minimo le dislocazioni e la densità dei difetti, il wafer garantisce prestazioni elettriche ottimizzate in componenti critici come dispositivi di potenza, sensori e circuiti integrati avanzati.

2. Applicazioni nelle industrie avanzate

Caratterizzato da un allineamento cristallino superiore, il substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 1 pollice trova largo impiego nello sviluppo di prodotti all'avanguardia in settori quali l'informatica quantistica, la strumentazione aerospaziale e i sistemi energetici avanzati. La sua struttura precisa e le sue proprietà elettroniche stabili consentono a ricercatori e produttori di progettare dispositivi innovativi che richiedono specifiche di materiale molto rigorose.

L'integrazione di questo substrato nelle tecnologie di prossima generazione consente di migliorare la sensibilità dei sensori, l'affidabilità delle applicazioni ad alta tensione e l'efficienza del fotovoltaico. Le sue qualità cristallografiche uniche, combinate con un controllo dimensionale rigoroso, offrono la precisione necessaria per le innovazioni su scala wafer e le soluzioni emergenti ad alte prestazioni.