Substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 1 pollice Descrizione
Il nostro substrato di cristallo di silicio (Si) (110) con diametro di 1 pollice è progettato per offrire una qualità cristallina superiore e un'uniformità strutturale eccezionale. L'orientamento (110) fornisce disposizioni atomiche uniche che sono altamente favorevoli per le applicazioni nella microelettronica avanzata, nel fotovoltaico e nella ricerca sui MEMS. Grazie all'elevata purezza e alla bassa densità di difetti, questo substrato supporta un controllo preciso del drogante e minime deformazioni reticolari, assicurando prestazioni affidabili e risultati riproducibili sia in ambienti sperimentali che di produzione.
Prodotto secondo rigorosi standard di qualità, ogni substrato è sottoposto a un'ispezione rigorosa per verificare la planarità della superficie, l'uniformità dello spessore e la precisione dimensionale complessiva. Questa attenta supervisione garantisce una qualità superficiale ottimale adatta alla deposizione di film sottili, alla fotolitografia e ad altri processi di fabbricazione. Sia che stiate esplorando nuovi concetti di dispositivi o scalando la produzione, il nostro substrato di cristallo di silicio (Si) (110) offre proprietà costanti e prestazioni affidabili, essenziali per i progressi tecnologici all'avanguardia.
Substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 1 pollice Applicazioni
Il substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 1 pollice è una base versatile per un'ampia gamma di metodologie sofisticate. Grazie all'elevata purezza, alla struttura cristallina uniforme e all'orientamento preciso, consente prestazioni costanti in numerosi campi. Sfruttando queste proprietà si ottiene un'elevata conduttività termica, caratteristiche elettriche superiori e una robusta resistenza meccanica, che lo rendono essenziale per le applicazioni all'avanguardia.
1. Applicazioni industriali
-Elettronica ad alte prestazioni: L'orientamento (110) garantisce un trasporto efficiente dei carrier, ideale per i transistor di potenza.
-Diffusori di calore: l'eccezionale conduttività termica aiuta a dissipare il calore in ambienti industriali ad alta domanda.
2. Applicazioni di ricerca
-Sperimentazione sui semiconduttori: L'orientamento stabile del cristallo supporta studi avanzati di drogaggio e crescita.
-Progressi nel campo della fotonica: Lo spessore uniforme del substrato aiuta a progettare e testare con precisione i componenti ottici.
3. Applicazioni commerciali
-Produzione di dispositivi di consumo: l'uniformità e la robustezza contribuiscono a prodotti affidabili e duraturi.
-Tecnologie dei sensori: L'elevata purezza garantisce un rilevamento accurato del segnale e un funzionamento stabile nel tempo.
Cristallo di silicio (Si) Substrato (110) Dia. 1 pollice Confezione
Ogni substrato di cristallo di silicio da 1 pollice di diametro (110) è sigillato singolarmente in un sacchetto di polietilene per camera bianca con inserti di schiuma per assorbire gli urti. Per ottenere risultati ottimali, conservare in un ambiente controllato a 20-25°C, mantenendo l'umidità al di sotto del 50%. Le misure anticontaminazione comprendono il doppio imbustamento e la manipolazione minima. Su richiesta, è possibile realizzare imballaggi protettivi personalizzati, come la sigillatura sottovuoto e le protezioni ESD. Un'etichettatura chiara con le specifiche del prodotto garantisce la tracciabilità e una gestione efficiente dell'inventario.
Imballaggio: Sigillato sottovuoto, scatola di legno o personalizzato.
Substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 1 pollice FAQ
Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 1 pollice?
A1: Il substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 1 pollice presenta in genere un'eccellente resistenza meccanica, una precisa disposizione atomica e parametri reticolari coerenti. Con un orientamento cristallografico (110), è favorito per i sistemi microelettromeccanici (MEMS) e per i dispositivi elettronici specializzati che richiedono un'incisione direzionale. La resistività tipica varia da 1 a 20 Ω-cm, a seconda del tipo di drogaggio, garantendo una conduttività stabile. La finitura superficiale è liscia, con rugosità minime, per consentire la fabbricazione di dispositivi di alta qualità.
D2: Come deve essere maneggiato e conservato questo prodotto?
A2: La corretta manipolazione del substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 1 pollice prevede l'uso di guanti da camera bianca per evitare contaminazioni e di tenere il substrato per i bordi per evitare graffi. Deve essere conservato in un ambiente pulito e privo di cariche elettrostatiche, con umidità e temperatura controllate. Evitare il contatto diretto con superfici dure e utilizzare contenitori imbottiti per il trasporto. Un'ispezione regolare e una pulizia accurata con solventi approvati manterranno l'integrità della superficie.
D3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano al substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 1 pollice?
A3: Il substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 1 pollice soddisfa comunemente gli standard ISO 9001 per la gestione della qualità, garantendo una produzione coerente e la tracciabilità. Inoltre, molti fornitori aderiscono alle specifiche SEMI per la geometria dei wafer, la planarità e la precisione dell'orientamento cristallografico. La conformità RoHS è spesso certificata per confermare la presenza minima di sostanze pericolose. Prima della spedizione dei prodotti, vengono eseguiti regolari controlli di qualità e processi metrologici per convalidare l'uniformità dello spessore, la resistività e la densità dei difetti.
Informazioni correlate
1. Processo di produzione
Per creare il substrato di cristallo di silicio (Si) (110) con diametro di 1 pollice, vengono impiegati metodi di crescita meticolosi che ne garantiscono il reticolo uniforme. 1 pollice, assicurandone la struttura reticolare uniforme e l'orientamento stabile. Questi substrati spesso nascono come cristalli di silicio di elevata purezza cresciuti attraverso tecniche come il processo Czochralski, in cui il silicio viene fuso e poi accuratamente tirato per formare un lingotto. L'orientamento (110) viene mantenuto con precisione durante tutta questa procedura, contribuendo alle proprietà costanti e all'accuratezza dimensionale del substrato.
Seguono procedure avanzate di taglio e lucidatura, in cui i wafer vengono tagliati dal lingotto e lucidati a macchina per ottenere una levigatezza ottimale. Durante la lucidatura, qualsiasi irregolarità o contaminante viene accuratamente rimosso per ottenere una superficie a specchio con requisiti di planarità rigorosi. Questa attenzione ai dettagli è fondamentale per ottenere difetti minimi, che sono fondamentali quando il substrato viene sottoposto alle successive fasi di fabbricazione dei dispositivi in ambienti di ricerca e commerciali.
2. Applicazioni nelle industrie avanzate
Le robuste prestazioni nei sistemi microelettromeccanici (MEMS), nei laser a semiconduttore e nella fabbricazione di microprocessori rendono il substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 1 pollice. Il suo orientamento cristallino ben definito fornisce caratteristiche coerenti nella gestione termica, nella conducibilità elettrica e nella distribuzione delle sollecitazioni, tutti elementi essenziali per i delicati dispositivi elettronici. Il diametro di un pollice del substrato lo rende particolarmente adatto ad ambienti di produzione specializzati o ad esperimenti su scala pilota incentrati sulla progettazione di dispositivi innovativi.
L'utilizzo mirato in settori all'avanguardia, come l'optoelettronica e lo sviluppo di sensori, deriva dalla notevole affidabilità e precisione dimensionale di questo substrato. La sua capacità di mantenere la stabilità cristallina in un'ampia gamma di condizioni aiuta i ricercatori e i produttori a semplificare il processo di produzione, a ridurre gli sprechi di materiale e ad aumentare la qualità dei risultati. Questa versatilità rende il substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 1 pollice come componente fondamentale per il progresso delle tecnologie di prossima generazione in diversi settori dell'alta tecnologia.
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