CY8294 Substrato di cristallo di zaffiro all'ossido di alluminio, piano C di Al2O3 (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm

Substrato di cristallo di zaffiro all'ossido di alluminio, piano C di Al2O3 (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Descrizione

Realizzato con una struttura a cristallo singolo di Al₂O₃, questo substrato in zaffiro a piano C (0001) è una delle soluzioni più robuste per i dispositivi ad alte prestazioni. Con un diametro di 50,8 mm e uno spessore di 0,5 mm, offre un'eccezionale resistenza meccanica, inerzia chimica ed eccezionale stabilità termica. Queste caratteristiche lo rendono ideale per applicazioni avanzate come l'epitassia dei LED, la microelettronica e i sistemi ottici. L'elevata costante dielettrica e le basse perdite dielettriche facilitano ulteriormente le operazioni ad alta frequenza.

In conformità ai severi standard industriali, ogni substrato viene sottoposto a test rigorosi per garantire una qualità costante e difetti superficiali minimi. Le superfici lucidate garantiscono una crescita epitassiale uniforme e una facile integrazione in strutture complesse. Affidatevi a questo wafer di zaffiro Al₂O₃ a piano C per ottenere prestazioni affidabili, una maggiore efficienza del dispositivo e una durata senza pari in ambienti difficili.

Substrato di cristallo di zaffiro all'ossido di alluminio, piano C di Al2O3 (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Applicazioni

Il substrato di cristallo di zaffiro all'ossido di alluminio (Al2O3) piano C (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm è molto apprezzato per la sua eccezionale chiarezza ottica, l'incredibile durezza e la superiore stabilità termica. Queste caratteristiche lo rendono un materiale essenziale in numerosi settori, a sostegno della ricerca avanzata e dello sviluppo di prodotti commerciali. La sua capacità di resistere ad ambienti difficili mantenendo la trasparenza ottica lo rende particolarmente prezioso per i dispositivi che richiedono prestazioni affidabili in condizioni difficili.

1. Applicazioni industriali

- Finestre protettive per apparecchiature ad alta temperatura, sfruttando la superiore stabilità termica del substrato

- Componenti resistenti all'usura utilizzati in ambienti industriali difficili, sfruttando l'eccezionale durezza dello zaffiro.

2. Applicazioni di ricerca

- Substrato per la ricerca sui semiconduttori, che fornisce una piattaforma stabile per la crescita epitassiale e gli studi sui materiali avanzati

- Banchi di prova per componenti ottici in esperimenti di spettroscopia, che beneficiano delle elevate proprietà di trasmissione del cristallo.

3. Applicazioni commerciali

- Cristalli per orologi resistenti ai graffi, che sfruttano la robusta resistenza meccanica dello zaffiro

- Obiettivi per macchine fotografiche di fascia alta, che sfruttano la sua notevole chiarezza e la bassa birifrangenza

Substrato di cristallo di zaffiro all'ossido di alluminio, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Confezione

Ogni substrato di zaffiro Al2O3 C-plane (0001) (50,8 mm di diametro x 0,5 mm di spessore) è accuratamente racchiuso in un imballaggio antistatico, sigillato sottovuoto e imbottito di schiuma per evitare danni meccanici. I substrati devono essere conservati in un ambiente pulito e a bassa umidità per ridurre al minimo la contaminazione. Utilizziamo contenitori di plastica sigillati con pacchetti essiccanti per garantire un'asciugatura ottimale. Sono disponibili opzioni di etichettatura e configurazioni di imballaggio personalizzate per soddisfare esigenze specifiche di manipolazione, garantendo che ogni substrato rimanga intatto per un'applicazione precisa.

Imballaggio: Sigillato sottovuoto, scatola di legno o personalizzato.

Substrato di cristallo di zaffiro all'ossido di alluminio, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Domande frequenti

Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del substrato di cristallo di zaffiro in ossido di alluminio, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm?

A1: I substrati di zaffiro in ossido di alluminio (Al2O3) offrono una durezza eccezionale (9 sulla scala Mohs), un'elevata conducibilità termica (25-35 W/mK) e un'eccellente stabilità chimica. L'orientamento del piano C (0001) è favorito per la crescita epitassiale, garantendo un reticolo superficiale ben definito. Grazie alla bassa costante dielettrica e alla trasmissione ottica superiore, questi substrati sono ampiamente utilizzati nelle applicazioni microelettroniche e optoelettroniche. Il diametro di 50,8 mm e lo spessore di 0,5 mm soddisfano i requisiti standard del settore per i wafer.

D2: Come deve essere maneggiato e conservato questo prodotto?

A2: A causa della sua fragilità e delle superfici di precisione, il substrato deve essere maneggiato in un ambiente di camera bianca utilizzando guanti privi di lanugine e strumenti non abrasivi. Per evitare graffi o contaminazioni, conservare ogni wafer in un supporto protettivo o in una cassetta, separato da materiali morbidi di separazione. Mantenere livelli stabili di temperatura e umidità ed evitare il contatto diretto con le mani nude o con sostanze chimiche aggressive per preservare l'integrità del cristallo.

Q3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano al substrato di cristallo di zaffiro all'ossido di alluminio, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm?

A3: Per i wafer di zaffiro per semiconduttori, i sistemi di qualità pertinenti includono in genere la norma ISO 9001 per la produzione complessiva e la gestione della qualità, nonché la norma ISO 14001 per le pratiche ambientali. In alcuni casi, i produttori possono aderire agli standard SEMI relativi alla geometria, alla planarità e alla qualità della superficie dei wafer. Molti fornitori eseguono anche una rigorosa metrologia interna, come la diffrazione a raggi X, la misurazione della rugosità superficiale e le ispezioni dei difetti, assicurando che questi substrati soddisfino le rigorose specifiche microelettroniche e optoelettroniche.

Informazioni correlate

1. Processo di produzione

Il processo di produzione di un substrato di cristallo di zaffiro in ossido di alluminio, Al2O3 C-Plane (0001), Dia. 50,8 mm x 0,5 mm inizia con la formazione di un lingotto di zaffiro di elevata purezza. Attraverso tecniche attentamente controllate, spesso con il metodo Verneuil o Czochralski, il cristallo viene fatto crescere per ridurre al minimo le imperfezioni strutturali e le impurità. Una volta formato, il lingotto viene tagliato con precisione in dischi del diametro richiesto di 50,8 mm e sottoposto a un'accurata rettifica superficiale che consente di ottenere uno spessore ottimale di 0,5 mm.

Al termine delle fasi di formatura, il substrato viene sottoposto a una meticolosa sequenza di lappatura e lucidatura per creare una superficie impeccabile. Utilizzando composti di lucidatura proprietari e attrezzature avanzate, i produttori assicurano una rugosità superficiale minima, che è un fattore cruciale per la successiva fabbricazione del dispositivo. Il substrato lucidato viene poi sottoposto a test per confermare l'orientamento cristallografico lungo il piano C (0001), garantendo così uniformità e coerenza tra i lotti di produzione.

2. Applicazioni nelle industrie avanzate

Settori all'avanguardia come l'optoelettronica, la microelettronica e la strumentazione di precisione si affidano spesso a questo tipo di substrato di cristallo di ossido di alluminio e zaffiro per ottenere prestazioni superiori dei dispositivi. La sua robusta integrità strutturale e l'impeccabile allineamento cristallino consentono di ridurre al minimo le sollecitazioni durante la crescita epitassiale di semiconduttori come il nitruro di gallio (GaN). Questa affidabilità rende il substrato particolarmente utile nella produzione di dispositivi radio ad alta frequenza e LED con una migliore efficienza e gestione del calore.

Durante la lavorazione a livello di wafer, l'eccezionale stabilità termica e l'inerzia chimica del substrato svolgono un ruolo fondamentale nel mantenere l'affidabilità del dispositivo. Nell'elettronica di potenza, la sua capacità di gestire temperature elevate senza deformarsi o degradarsi contribuisce a prolungare la durata operativa. Inoltre, il diametro di 50,8 mm e lo spessore di 0,5 mm garantiscono la compatibilità con le apparecchiature di lavorazione standard del settore, ampliando ulteriormente il campo di applicazione nella moderna ricerca sulle nanotecnologie e sulla fotonica.