CY11157 Wafer di silicio rivestito di nitruro di titanio (TiN)

Descrizione del wafer di silicio rivestito di nitruro di titanio (TiN)

Il wafer di silicio rivestito di nitruro di titanio (TiN) è un substrato di silicio che presenta un film di TiN uniformemente depositato mediante tecniche di sputtering. Lo strato di TiN funge da barriera contro l'ossidazione e la contaminazione, fornendo al contempo una superficie conduttiva per l'integrazione dei dispositivi. Lo spessore controllato del film e l'omogeneità sono fondamentali per ridurre al minimo i difetti durante le successive fasi di lavorazione dei semiconduttori, garantendo la compatibilità con le apparecchiature di fabbricazione standard.

Caratteristiche dei wafer di silicio rivestiti di nitruro di titanio (TiN)

*Le informazioni sui prodotti di cui sopra si basano su dati teorici e sono solo di riferimento. Le specifiche effettive possono variare.

Applicazioni dei wafer di silicio rivestiti di nitruro di titanio (TiN)

1.Produzione di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come strato di interconnessione nei circuiti integrati per ottenere percorsi a bassa resistenza sfruttando le proprietà conduttive del TiN.
- Applicato come barriera di diffusione nelle strutture metallo-silicio per prevenire la commistione e la degradazione durante la lavorazione ad alta temperatura.

2.Strati di protezione e barriera superficiale
- Serve come rivestimento protettivo nei sistemi microelettromeccanici (MEMS) per prolungare la vita del dispositivo riducendo l'ossidazione e l'usura.
- Utilizzato nei dispositivi sensoriali dove lo strato di TiN, chimicamente inerte, riduce al minimo la contaminazione e aumenta la stabilità del dispositivo.

Imballaggio dei wafer di silicio rivestiti di nitruro di titanio (TiN)

I wafer sono confezionati in vassoi antistatici e sigillati in sacchetti laminati con barriera antiumidità per evitare la contaminazione e i danni meccanici durante il trasporto. Lo stoccaggio deve avvenire in un ambiente pulito, asciutto e a temperatura controllata per mantenere l'integrità del rivestimento TiN. Sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate per soddisfare i requisiti specifici di manipolazione e garantire la protezione del prodotto dalle influenze ambientali.

Informazioni aggiuntive

I rivestimenti di nitruro di titanio sono stati ampiamente studiati per la loro inerzia chimica e conduttività elettrica nelle applicazioni dei semiconduttori. Il processo di deposizione controllata non solo aumenta la durata della superficie, ma migliora anche l'affidabilità dei contatti elettrici. I progressi nella tecnologia dei rivestimenti hanno permesso ai ricercatori di regolare con precisione le proprietà dei film, a vantaggio di diversi processi produttivi ad alta tecnologia.

La comprensione dell'interazione tra l'uniformità del rivestimento e le prestazioni del substrato è fondamentale nella produzione di semiconduttori. L'integrazione di strati di TiN con substrati di silicio dimostra l'importanza di un controllo meticoloso del processo per ottenere i risultati desiderati per i componenti attivi e passivi dei dispositivi.