CY11155 Wafer di silicio rivestito di iridio (Ir)

Descrizione del wafer di silicio rivestito di iridio (Ir)

Il wafer di silicio rivestito di iridio (Ir) è un substrato di silicio con uno strato di iridio applicato mediante tecniche di deposizione fisica da vapore. Il sottile film metallico funge da barriera di diffusione, impedendo l'ossidazione durante la lavorazione ad alta temperatura. Le dimensioni standard dei wafer garantiscono la compatibilità con le comuni apparecchiature per la produzione di semiconduttori. La presenza dell'iridio aumenta la stabilità termica e riduce al minimo i rischi di contaminazione durante la produzione dei dispositivi.

Caratteristiche dei wafer di silicio rivestiti di iridio (Ir)

*Le informazioni sui prodotti di cui sopra si basano su dati teorici e sono solo di riferimento. Le specifiche effettive possono variare.

Applicazioni dei wafer di silicio rivestiti di iridio (Ir)

Elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come barriera di diffusione nella lavorazione CMOS per limitare l'ossidazione sfruttando il film di iridio; questo mantiene l'integrità del substrato durante i trattamenti termici.
- Applicato come substrato nella produzione di sensori microelettronici per garantire la stabilità della superficie; il rivestimento riduce al minimo i rischi di contaminazione e favorisce la coerenza dei risultati del processo.

Ricerca e sviluppo
- Utilizzato per studiare le proprietà dei film sottili nei setup sperimentali, offrendo un rivestimento uniforme; ciò facilita un'analisi riproducibile e accurata della superficie.
- Utilizzato spesso negli studi di scienza dei materiali per valutare le interfacce metallo-semiconduttore, a supporto di una migliore progettazione dei dispositivi a semiconduttore.

Imballaggio di wafer di silicio rivestito di iridio (Ir)

I wafer di silicio rivestiti di iridio (Ir) sono sigillati singolarmente in buste antistatiche e fissati in supporti di schiuma rigida per ridurre gli urti meccanici e la contaminazione da particelle. Sono conservati in ambienti a temperatura e umidità controllate per mantenere l'integrità del rivestimento. Sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, tra cui vassoi a scomparti ed etichettatura specifica, per soddisfare i requisiti di manipolazione specifici del processo.

Informazioni aggiuntive

I wafer di silicio costituiscono la pietra miliare della moderna produzione di semiconduttori e servono come substrati primari per i circuiti integrati e i componenti elettronici avanzati. L'applicazione di sottili rivestimenti metallici, come l'iridio, migliora questi substrati fornendo barriere critiche contro la diffusione e l'ossidazione durante la lavorazione ad alta temperatura. Questa integrazione di film metallici e substrati di silicio è un aspetto fondamentale della scienza dei materiali nella produzione di semiconduttori.

La ricerca sulla deposizione di film sottili continua ad evolversi, con tecniche come la deposizione sputter che offrono un controllo preciso sulle caratteristiche del film. Questi progressi contribuiscono a migliorare le prestazioni e la scalabilità dei dispositivi in varie applicazioni industriali, sottolineando l'importanza della compatibilità dei materiali e dell'ottimizzazione dei processi nell'elettronica e nell'ingegneria dei materiali.