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CY11153 Wafer di silicio rivestito di palladio (Pd)

Catalogo no. CY11153
Materiale Palladio, silicio
La purezza Pd: ≥99,95%
Forma Substrato

Il wafer di silicio rivestito di palladio (Pd) è progettato con un sottile strato di palladio depositato per sputtering su un substrato di silicio per affrontare sfide specifiche nei processi dei semiconduttori. Stanford Advanced Materials (SAM) impiega tecniche di deposizione precise e ispezioni in linea della qualità della superficie con strumenti metrologici avanzati. Questo approccio riduce al minimo i difetti superficiali e garantisce l'uniformità, fornendo un'interfaccia efficace per le fasi di lavorazione successive e mantenendo al contempo rigorosi controlli di processo.

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FAQ

In che modo il rivestimento di palladio influenza le prestazioni del wafer nella lavorazione dei semiconduttori?

Il rivestimento di palladio funge da barriera di diffusione durante la lavorazione termica, riducendo i rischi di migrazione e ossidazione dei metalli. Questa interfaccia controllata migliora la stabilità e la coerenza del processo negli ambienti di microfabbricazione.

Quali sono le procedure di pulizia consigliate prima di integrare questi wafer nei processi dei semiconduttori?

Si consigliano i protocolli standard di pulizia dei semiconduttori utilizzando le procedure RCA. Queste procedure rimuovono i contaminanti organici e inorganici senza compromettere l'integrità strutturale dello strato di palladio.

Il wafer può essere integrato nei processi di silicio esistenti senza ulteriori modifiche?

Sì, la compatibilità del substrato con le apparecchiature di lavorazione standard consente l'integrazione nei flussi di processo del silicio esistenti. Potrebbero essere necessari piccoli aggiustamenti per tenere conto dell'influenza del rivestimento metallico durante i cicli termici. Per ulteriori dettagli, contattateci.

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