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CU11678 Elettrodo di tantalio con nucleo in rame (rame rivestito di tantalio)

Catalogo no. CU11678
Dimensioni Personalizzato
Materiale Ta, Cu
Forma Asta, personalizzata

L'elettrodo di tantalio con nucleo in rame è un elettrodo composto da un nucleo di rame ad alta conduttività avvolto da uno strato di tantalio chimicamente inerte. Stanford Advanced Materials (SAM) applica tecniche dettagliate di diffrazione a raggi X e microscopia elettronica durante la produzione per monitorare la struttura dei grani e l'omogeneità della lega. Questi processi controllati garantiscono che le proprietà microstrutturali soddisfino i rigorosi standard operativi, dando vita a elettrodi adatti ad applicazioni in cui l'elevata conduzione di corrente e la stabilità termica sono fondamentali.

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FAQ

Quali metodi analitici sono ottimali per valutare la microstruttura di questo elettrodo?

La microscopia elettronica a scansione (SEM) combinata con la spettroscopia a raggi X a dispersione di energia (EDS) è consigliata per analizzare i confini dei grani dell'elettrodo e l'uniformità della composizione. Queste tecniche aiutano a identificare eventuali deviazioni microstrutturali che possono influire sulle prestazioni sotto carichi di corrente elevati.

Come influisce il design a doppio metallo sulle prestazioni elettriche dell'elettrodo?

Il nucleo in rame migliora la conduttività elettrica, mentre il rivestimento in tantalio garantisce la stabilità chimica alle alte temperature. Questo doppio design riduce al minimo le perdite resistive e la degradazione termica, un aspetto fondamentale per le applicazioni che richiedono correnti elevate e prolungate.

Quali processi di trattamento termico vengono utilizzati per stabilizzare la composizione della lega?

Per ottimizzare la microstruttura della lega, viene utilizzato un processo di ricottura controllata sotto vuoto. Questo trattamento riduce i rischi di ossidazione e armonizza l'interfaccia tra rame e tantalio, garantendo proprietà elettriche e meccaniche stabili nel tempo.

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