AL10311 Template di nitruro di alluminio AlN non drogato su 2 pollici di silicio x 200 nm

Nitruro di alluminio non drogato AlN Template su 2 pollici di silicio x 200 nm Descrizione

Il materiale comprende nitruro di alluminio e silicio, formando un substrato dedicato alle applicazioni dei semiconduttori. Le dimensioni di 2 pollici per 2 pollici garantiscono la compatibilità con le apparecchiature di lavorazione standard. Lo spessore del film di 200 nm svolge un ruolo fondamentale nella gestione dei gradienti termici e dell'isolamento elettrico. L'interfaccia definita AlN/Si favorisce l'integrazione in dispositivi che richiedono proprietà dielettriche controllate e una densità di difetti ridotta al minimo per l'elettronica sensibile.

Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su silicio da 2 pollici x 200 nm Applicazioni

1.Applicazioni elettroniche
- Utilizzato come strato dielettrico nei dispositivi a semiconduttore per ottenere un migliore isolamento elettrico sfruttando le proprietà controllate del film di AlN.
- Applicato come substrato in array di sensori per ottenere livelli di segnale stabili grazie ad allineamenti cristallini ben definiti.

2.Applicazioni industriali
- Utilizzato come base per circuiti integrati in ambienti ad alta temperatura per ridurre al minimo il disallineamento termico, sfruttando la conduttività termica del materiale ceramico.
- Viene spesso utilizzato nel packaging microelettronico per ridurre le correnti di dispersione sfruttando l'interfaccia netta tra AlN e silicio.

Template di nitruro di alluminio AlN non drogato su imballaggio da 2 pollici di silicio x 200 nm

Il substrato è confezionato in un contenitore antistatico rivestito di schiuma per evitare stress meccanici e contaminazione. È sigillato in atmosfera inerte all'interno di una busta impermeabile, per garantire un'esposizione minima all'umidità o al particolato. Le istruzioni per la conservazione raccomandano un ambiente controllato, a bassa umidità e a temperatura ambiente. Su richiesta sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, tra cui inserti protettivi aggiuntivi ed etichette speciali.

Domande frequenti

Q1: Quali sono i metodi di controllo della qualità utilizzati per monitorare l'uniformità del film?
A1: SAM impiega la microscopia elettronica a scansione (SEM) e la diffrazione dei raggi X (XRD) per valutare l'uniformità del film e confermare l'orientamento cristallografico, riducendo la densità dei difetti e garantendo un corretto sviluppo dell'interfaccia.

D2: In che modo l'interfaccia AlN/Si del substrato influisce sulle prestazioni dei dispositivi a semiconduttore?
A2: Un'interfaccia ben definita riduce al minimo le perdite elettriche e migliora l'isolamento, fattore critico per la stabilità del dispositivo durante la lavorazione e il funzionamento ad alta temperatura.

D3: Quali pratiche di conservazione aiutano a mantenere le proprietà del substrato?
A3: Si consiglia di conservare il substrato in un ambiente a bassa umidità e temperatura controllata, utilizzando un imballaggio antistatico per evitare la contaminazione e preservare l'integrità del film di AlN.

Informazioni aggiuntive

Il nitruro di alluminio (AlN) è un materiale ceramico noto per le sue notevoli caratteristiche di conducibilità termica e dielettrica. Quando viene combinato con il silicio, il substrato risultante richiede tecniche di deposizione meticolose per garantire che l'interfaccia e l'uniformità del film soddisfino gli standard dei processi semiconduttori. La comprensione delle interazioni tra AlN e silicio è fondamentale per ottimizzare le prestazioni del materiale.

I progressi nella fabbricazione di substrati ceramici hanno evidenziato l'importanza della deposizione controllata e della caratterizzazione della superficie. L'interazione tra espansione termica, proprietà dielettriche e qualità dell'interfaccia continua a guidare la ricerca e lo sviluppo nel settore dell'imballaggio elettronico e dell'integrazione dei sensori, garantendo che i substrati funzionino come previsto in varie applicazioni ad alta richiesta.