AL10310 Template di nitruro di alluminio AlN non drogato su silicio da 4 pollici 4 pollici x 500 nm

Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su silicio da 4 pollici 4 pollici x 500 nm Descrizione

Il Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su silicio da 4 pollici (Si <111> drogato di tipo P) viene depositato come film da 500 nm su un wafer di silicio da 4 pollici con drogaggio controllato di tipo B. Composta da AlN e Si, la struttura offre un'elevata conducibilità termica e isolamento elettrico, fondamentali per i dispositivi a semiconduttore. Il suo film uniforme aiuta a ridurre al minimo i disallineamenti reticolari e le deformazioni termiche durante la fabbricazione dei dispositivi, garantendo la compatibilità con le apparecchiature di lavorazione standard.

Nitruro di alluminio non drogato AlN Template su 4 pollici di silicio 4 pollici x 500 nm Applicazioni

1.Applicazioni di elettronica e semiconduttori
- Utilizzo come strato dielettrico o barriera nei transistor ad alta frequenza per controllare le correnti di dispersione sfruttando l'isolamento elettrico e l'allineamento cristallografico del film.
- Applicato come strato intermedio nei dispositivi RF per ridurre la capacità parassita grazie allo spessore uniforme di 500 nm.

2.Applicazioni industriali e di rilevamento
- Utilizzato come substrato nella fabbricazione di sensori per mantenere la stabilità termica sfruttando l'elevata conduttività termica dell'AlN.
- Viene spesso impiegato nel packaging microelettronico per attenuare le sollecitazioni termiche, sfruttando le proprietà di interfaccia controllata del materiale.

Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su silicio da 4 pollici Imballaggio da 4 pollici x 500 nm

Il substrato è confezionato in un contenitore rivestito di schiuma antistatica all'interno di una busta di politene sigillata per evitare contaminazioni e danni meccanici. Deve essere conservato in un ambiente asciutto e a temperatura controllata per mantenere la consistenza del film. Sono disponibili ulteriori opzioni di personalizzazione, come la sigillatura sottovuoto e la compartimentazione su misura, per soddisfare i requisiti di manipolazione specifici per la lavorazione dei semiconduttori.

Domande frequenti

Q1: Quali misure di controllo della qualità vengono attuate durante la produzione?
A1: SAM utilizza la microscopia elettronica a scansione e la profilometria per verificare l'uniformità del film e identificare i difetti, garantendo che le variazioni di lavorazione rimangano entro limiti accettabili per le applicazioni dei semiconduttori.

D2: In che modo il drogaggio B di tipo P influenza le prestazioni del substrato?
A2: La drogatura B controllata nel substrato di silicio migliora le caratteristiche elettriche e facilita l'integrazione uniforme con il film di AlN, essenziale per garantire prestazioni costanti del dispositivo in condizioni di processo dei semiconduttori.

D3: Quali sono le condizioni di conservazione consigliate per preservare l'integrità del substrato?
A3: Il substrato deve essere conservato in un ambiente a bassa umidità e temperatura stabile, utilizzando un imballaggio antistatico e anticontaminazione per ridurre al minimo l'esposizione alle sollecitazioni meccaniche e ai contaminanti ambientali.

Informazioni aggiuntive

Il nitruro di alluminio (AlN) è ampiamente riconosciuto per le sue elevate proprietà di conducibilità termica e isolamento elettrico, che lo rendono adatto ad applicazioni elettroniche avanzate. La combinazione di AlN con un substrato di silicio crea una piattaforma che supporta un'efficiente dissipazione del calore e riduce al minimo le sollecitazioni termiche durante il funzionamento del dispositivo.

Nella produzione di semiconduttori, il controllo dell'orientamento cristallino e dell'uniformità del film è fondamentale per l'affidabilità del dispositivo. L'integrazione di AlN non drogato su un wafer di silicio con un orientamento definito <111> garantisce che il substrato risultante possa sopportare fasi di lavorazione rigorose senza compromettere l'integrità strutturale richiesta per i dispositivi elettronici ad alte prestazioni.