AL10309 Templato di nitruro di alluminio non drogato AlN su silicio (Si <111> tipo P) 10 mmx10 mm x 200 nm

Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su silicio (Si <111> tipo P) 10 mmx10 mm x 200 nm Descrizione

Il Template di nitruro di alluminio (AlN) non drogato su silicio (Si <111> tipo P) è prodotto mediante un preciso processo di deposizione che crea un film di AlN di 200 nm di spessore su un substrato di silicio di 10 mm x 10 mm. Questa configurazione consente un isolamento elettrico controllato e una gestione termica efficiente, essenziale per l'integrazione dei dispositivi a semiconduttore. L'orientamento cristallino uniforme del substrato favorisce la coerenza del processo e la compatibilità con i protocolli di microfabbricazione standard.

Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su silicio (Si <111> tipo P) 10 mmx10 mm x 200 nm Applicazioni

1.
Applicazioni di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come strato isolante nella fabbricazione di circuiti integrati per ridurre le perdite elettriche sfruttando le sue proprietà dielettriche.
- Applicato come strato di passivazione nei dispositivi di sensori per migliorare la stabilità termica e proteggere dalla contaminazione grazie alla struttura uniforme del film.

2.
Applicazioni industriali
- Utilizzato come substrato nei moduli dei dispositivi di potenza per ottenere un'efficiente dissipazione del calore sfruttando la sua conducibilità termica intrinseca.
- Serve come supporto per i processi a film sottile negli assemblaggi microelettronici per garantire l'uniformità del processo fornendo una superficie stabile e liscia.

Nitruro di alluminio non drogato AlN Template su silicio (Si <111> tipo P) 10 mmx10 mm x 200 nm Imballaggio

Il substrato è imballato in modo sicuro in un contenitore antistatico, rivestito di schiuma e dotato di buste con barriera contro l'umidità per ridurre la contaminazione e i danni meccanici. Il design dell'imballaggio include una robusta etichettatura per indicare chiaramente le specifiche del prodotto e le istruzioni di manipolazione. Conservare in un ambiente a temperatura controllata e bassa umidità per mantenere l'integrità del film. Sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate per adattare la protezione a specifiche esigenze di trasporto o stoccaggio.

Domande frequenti

Q1: In che modo lo spessore del film influenza l'integrazione del substrato nei processi dei semiconduttori?
A1: Lo spessore del film di AlN di 200 nm fornisce un isolamento controllato e una gestione termica, essenziale per ridurre le perdite elettriche e migliorare la dissipazione del calore durante la produzione di semiconduttori. Un film uniforme favorisce inoltre la coerenza tra le varie fasi di lavorazione.

D2: Quali metodi di controllo della qualità vengono applicati durante il processo di deposizione dell'AlN?
A2: Il processo di deposizione incorpora immagini SEM ad alta risoluzione e metrologia di superficie per monitorare l'uniformità del film e rilevare i difetti. Queste ispezioni garantiscono il rispetto delle tolleranze dimensionali e l'uniformità del materiale durante la produzione.

D3: Quali sono le condizioni di conservazione consigliate per mantenere le prestazioni del substrato?
A3: Il substrato deve essere conservato in un ambiente a temperatura controllata e a bassa umidità. L'imballaggio protettivo riduce al minimo l'esposizione ai contaminanti e alle sollecitazioni meccaniche, preservando l'integrità strutturale e funzionale del substrato.

Informazioni aggiuntive

Il nitruro di alluminio è un materiale ceramico noto per le sue eccezionali proprietà di conducibilità termica e isolamento elettrico. Come substrato, la sua capacità di gestire il calore e di fornire uno strato dielettrico stabile è fondamentale nella produzione di semiconduttori, a supporto di precise applicazioni elettroniche e microelettroniche.

La comprensione del processo di deposizione e della microstruttura del substrato è importante per ottimizzare le prestazioni dei circuiti integrati e dell'elettronica di potenza. L'attento controllo dello spessore del film e dell'orientamento cristallino migliora la compatibilità con la lavorazione standard dei semiconduttori, contribuendo a migliorare l'efficienza e l'affidabilità dei dispositivi.