AL10300 Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su zaffiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm

Template in nitruro di alluminio non drogato AlN su zaffiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm Descrizione

Il Template al nitruro di alluminio non drogato su zaffiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm è un substrato ceramico monocristallino che integra un sottile film di AlN da 5000 nm su una base di zaffiro (Al2O3) di 10x10 mm. Lo spessore definito dello strato facilita la deposizione uniforme del film, mentre la natura non drogata dell'AlN minimizza l'interferenza delle impurità. Questa struttura offre proprietà dielettriche stabili e una migliore gestione termica, affrontando le sfide dei rigorosi processi di fabbricazione elettronica.

Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su zaffiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm Applicazioni

Elettronica
- Utilizzato come strato dielettrico nei moduli RF per ottenere un preciso isolamento del segnale sfruttando le stabili proprietà termiche e dielettriche del materiale.
- Applicato come diffusore di calore nei gruppi di LED per migliorare la dissipazione termica sfruttando la microstruttura composita.

Produzione di semiconduttori
- Utilizzato come substrato nella crescita di film epitassiali per ottenere una deposizione uniforme sfruttando la superficie liscia dello zaffiro e le proprietà controllate dell'AlN.

Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su zaffiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm Imballaggio

I substrati sono confezionati in contenitori antistatici imbottiti di schiuma per ridurre le sollecitazioni meccaniche e la contaminazione. Sono racchiusi in scatole rigide per proteggerli dagli impatti fisici. L'imballaggio è progettato per essere conservato in condizioni ambientali con umidità controllata, garantendo una minima esposizione all'umidità. Su richiesta sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, come scatole sigillate sottovuoto o con spurgo di gas inerte.

Domande frequenti

Q1: Quali problemi di lavorazione possono sorgere quando si utilizza questo substrato in ambienti ad alta temperatura?
A1: Mantenere la planarità del substrato durante i cicli termici rapidi può essere impegnativo. Un'adeguata rampa di temperatura e la calibrazione delle apparecchiature di lavorazione aiutano a evitare deformazioni o microfratture durante la deposizione.

D2: In che modo lo spessore del film di 5000 nm influisce sulla deposizione degli strati successivi?
A2: Lo spessore uniforme di 5000 nm assicura una nucleazione uniforme, fornendo una piattaforma coerente per l'ulteriore crescita del film e riducendo al minimo i difetti indotti dallo stress durante la fabbricazione dei semiconduttori.

D3: È possibile applicare le tecniche standard di post-elaborazione senza alterare l'interfaccia AlN/Al2O3?
A3: Sì, è possibile utilizzare tecniche come la pulizia al plasma e l'incisione selettiva. I parametri di processo accuratamente ottimizzati sono essenziali per preservare l'integrità microstrutturale dell'interfaccia AlN/Al2O3.

Informazioni aggiuntive

I substrati di nitruro di alluminio sono noti per la loro conducibilità termica e la bassa costante dielettrica, che li rendono adatti alle applicazioni elettroniche e ad alta temperatura. Se combinato con lo zaffiro, il composito risultante bilancia una buona dissipazione del calore con caratteristiche elettriche stabili, critiche per la produzione di dispositivi a semiconduttore.

L'integrazione dell'AlN non drogato con lo zaffiro (Al2O3) sfrutta le proprietà intrinseche di entrambi i composti. I metodi di deposizione controllati e i rigorosi processi di verifica migliorano l'uniformità del film e la levigatezza della superficie, essenziali per la fabbricazione precisa dei dispositivi e la gestione termica in ambienti operativi difficili.