AL10299 Template di nitruro di alluminio AlN non drogato su silicio da 2 pollici 5 mm x 5 mm x 200 nm

Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su silicio da 2 pollici 5 mm x 5 mm x 200 nm Descrizione

Il Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su silicio da 2 pollici 5 mm x 5 mm x 200 nm consiste in uno strato di AlN cresciuto per via epitassiale su un substrato di silicio, garantendo un elevato grado di uniformità nello spessore del film. Le dimensioni di 5 mm per 5 mm sono compatibili con la lavorazione standard dei semiconduttori su piccola scala, mentre lo spessore del film di 200 nm facilita l'integrazione in dispositivi che richiedono strati isolanti e di barriera precisi. Le proprietà ceramiche intrinseche del substrato offrono inerzia chimica e stabilità termica.

Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su silicio da 2 pollici 5 mm x 5 mm x 200 nm Applicazioni

Elettronica
- Utilizzato come barriera isolante nei dispositivi a semiconduttore per ridurre le correnti di dispersione sfruttando l'inerzia chimica del film di AlN.
- Applicato come interfaccia dielettrica nei circuiti RF per mantenere la fedeltà del segnale con un film sottile stabile e uniforme.

Lavorazione industriale
- Serve come substrato nei processi di microfabbricazione per prevenire la contaminazione durante le operazioni ad alta temperatura grazie allo spessore costante del film.
- Utilizzato come strato barriera nella produzione di LED per mitigare gli effetti di diffusione sfruttando la sua stabilità termica.

Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su silicio da 2 pollici 5 mm x 5 mm x 200 nm Imballaggio

Il substrato è confezionato in buste di polietilene antistatiche e sigillate e inserito in cartoni rigidi che assorbono gli urti. Viene conservato in condizioni di temperatura controllata e bassa umidità per evitare l'assorbimento di umidità e la contaminazione da particolato. L'imballaggio può essere personalizzato con ulteriori funzioni di controllo dell'umidità e inserti compartimentati per supportare i requisiti di manipolazione rigorosi durante il trasporto e lo stoccaggio.

Domande frequenti

Q1: Quale processo viene utilizzato per ottenere un film di AlN uniforme sul silicio?
A1: Il film di AlN viene depositato con tecniche CVD controllate, monitorate da SEM e profilometria in linea per mantenere uno spessore e una morfologia superficiale uniformi.

D2: In che modo la natura non drogata dello strato di AlN è vantaggiosa per le applicazioni dei semiconduttori?
A2: L'assenza di drogaggio riduce al minimo i portatori liberi involontari, garantendo caratteristiche dielettriche stabili, essenziali per le prestazioni dei dispositivi ad alta frequenza.

D3: Quale ambiente di conservazione è consigliato per questi substrati?
A3: I substrati devono essere conservati in condizioni di temperatura controllata e bassa umidità, all'interno di imballaggi antistatici, per evitare la degradazione e la contaminazione indotte dall'umidità.

Informazioni aggiuntive

Il nitruro di alluminio è spesso impiegato in applicazioni elettroniche in cui sono essenziali un'elevata conduttività termica e un elevato isolamento elettrico. L'integrazione di uno strato di AlN su un substrato di silicio permette di combinare proprietà ceramiche e semiconduttrici, consentendo architetture di dispositivi avanzati nella microelettronica.

La deposizione di film sottile di AlN su silicio richiede un controllo rigoroso dei parametri di processo, tra cui la temperatura, la pressione e la portata del precursore. Ciò garantisce che il film risultante mantenga una struttura uniforme e proprietà elettriche prevedibili, il che è fondamentale per la ripetibilità nella ricerca e nelle applicazioni industriali.