AL10295 Nitruro di alluminio non drogato AlN Template su zaffiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm

Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su zaffiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm Descrizione

Questo substrato presenta uno strato di nitruro di alluminio cresciuto epitassialmente su una base di zaffiro (Al2O3) con orientamento (0001). Le dimensioni di 10x10 mm garantiscono la compatibilità con le apparecchiature standard per la lavorazione dei semiconduttori, mentre lo spessore del film di 1000 nm svolge un ruolo cruciale nelle prestazioni dielettriche e nella gestione termica. La natura non drogata del film riduce al minimo l'interferenza delle impurità, ottimizzandone l'uso nei circuiti ad alta frequenza e nella fabbricazione di componenti elettronici.

Template di nitruro di alluminio non drogato AlN su zaffiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm Applicazioni

Applicazioni elettroniche
- Utilizzato come strato isolante nei circuiti RF per ottenere una riduzione della capacità parassita sfruttando l'allineamento cristallino controllato del film.
- Applicato come barriera dielettrica nell'elettronica di potenza per mitigare lo stress termico sfruttando la sua elevata conducibilità termica.

Applicazioni industriali
- Utilizzato come componente del substrato nei moduli di sensori per garantire la stabilità del segnale in uscita, sfruttando la morfologia uniforme del film.
- Applicato nei sistemi di monitoraggio dei processi ad alta temperatura per mantenere l'isolamento elettrico sfruttando la sua inerzia chimica.

Nitruro di alluminio non drogato AlN Template su zaffiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm Imballaggio

Il substrato è confezionato in supporti a dissipazione statica e imbottito con inserti di schiuma per attenuare gli shock meccanici. È sigillato in un sacchetto con barriera antiumidità per evitare la contaminazione durante il trasporto. Per mantenere l'integrità del materiale, si consiglia di conservarlo in un ambiente pulito e a temperatura controllata. Su richiesta, sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate con ulteriori misure anticontaminazione e di ammortizzazione.

Domande frequenti

Q1: In che modo la deposizione epitassiale influisce sulle prestazioni del substrato?
A1: La deposizione epitassiale crea una struttura cristallina uniforme che migliora la consistenza dielettrica e la conduttività termica essenziali nei dispositivi a semiconduttore. Questa crescita controllata riduce al minimo la densità dei difetti e facilita l'integrazione precisa con altri componenti elettronici.

D2: Quali procedure di manipolazione speciali sono consigliate per questo substrato?
A2: Il substrato deve essere maneggiato in un ambiente pulito con precauzioni antistatiche. Deve essere conservato a temperatura e umidità controllate per evitare la degradazione del film di AlN e mantenere l'integrità della base di zaffiro.

D3: Il substrato può subire ulteriori modifiche post-lavorazione?
A3: Sì, il substrato può essere personalizzato dopo la deposizione per integrazioni specifiche del dispositivo, come l'assottigliamento, la lucidatura o la modellazione. Queste modifiche vengono eseguite in rigorosi protocolli di camera bianca per preservare le proprietà intrinseche del materiale.

Ulteriori informazioni

I substrati ceramici in nitruro di alluminio (AlN) sono ampiamente utilizzati nelle applicazioni che richiedono un'elevata conducibilità termica e isolamento elettrico. La natura non drogata del film di AlN riduce al minimo la dispersione delle impurità, che è fondamentale per ottenere un comportamento coerente del materiale in condizioni di alta potenza e alta frequenza.

L'integrazione di AlN su zaffiro (Al2O3) combina le proprietà di gestione termica del nitruro di alluminio con la superficie liscia e stabile dello zaffiro. Questa combinazione supporta i processi di semiconduttori avanzati, in particolare nei settori che richiedono una bassa densità di difetti e un'elevata integrità strutturale per garantire prestazioni efficienti dei dispositivi.