AL10288 Wafer di zaffiro Al2O3 R Piano Dia. 3 pollici x 0,5 mm 45° rispetto all'asse C

Sapphire Wafer Al2O3 R Plane 3" Dia x0,5 mm 45° fuori asse C Descrizione

Il wafer Sapphire Wafer Al2O3 R Plane è prodotto in ossido di alluminio (Al2O3) di elevata purezza con un orientamento definito di 45° in senso antiorario rispetto alla proiezione dell'asse C sul piano R. Il diametro di 3 pollici e lo spessore di 0,5 mm soddisfano i requisiti standard di lavorazione dei semiconduttori. Questo orientamento migliora l'uniformità della struttura reticolare e favorisce la fabbricazione precisa dei dispositivi, riducendo al contempo l'incidenza dei difetti durante la lavorazione ad alta temperatura.

Wafer di zaffiro Al2O3 R Plane 3" Dia x0,5 mm 45° fuori asse C Applicazioni

Elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come substrato nei circuiti integrati per ottenere percorsi controllati degli elettroni sfruttando il suo preciso allineamento del piano R.
- Applicato come base per componenti RF per migliorare la stabilità dielettrica utilizzando la sua composizione di Al2O3 ad alta purezza.

Sistemi industriali e sensori
- Serve come supporto nei moduli di sensori ad alta temperatura per mantenere la stabilità dimensionale sfruttando la resilienza termica dell'Al2O3.
- Viene spesso utilizzato nei dispositivi optoelettronici per migliorare la chiarezza ottica garantendo una superficie cristallina liscia e con pochi difetti.

Wafer di zaffiro Al2O3 R Plane 3" Dia x0,5 mm 45° fuori asse C Imballaggio

Il wafer è confezionato in un contenitore antistatico rivestito di schiuma che lo protegge da urti meccanici e contaminazione. È sigillato in una busta priva di polvere con strati di imbottitura per preservare l'integrità della superficie. Lo stoccaggio richiede un ambiente a temperatura controllata e bassa umidità per salvaguardare l'ossidazione. Sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, tra cui vassoi a scomparti ed etichette speciali, per soddisfare protocolli di manipolazione specifici.

Domande frequenti

Q1: In che modo l'orientamento specifico del piano R influenza la lavorazione del dispositivo?
A1: L'offset di 45° in senso antiorario rispetto alla proiezione dell'asse C fornisce un reticolo cristallino coerente che migliora la precisione della litografia e l'uniformità dell'incisione. Questo allineamento riduce i rischi di anomalia durante l'integrazione del dispositivo, contribuendo a mantenere la coerenza del processo.

D2: Quali sono i metodi di controllo della qualità utilizzati per valutare la purezza e la struttura del materiale?
A2: Il materiale viene sottoposto a diffrazione di raggi X ad alta risoluzione e ad analisi di microscopia elettronica a scansione. Questi metodi valutano l'orientamento cristallino e rilevano i difetti minori, assicurando che le proprietà strutturali del wafer soddisfino i rigorosi requisiti di processo.

D3: Come deve essere maneggiato il wafer per mantenere la qualità della sua superficie?
A3: La manipolazione deve essere effettuata in un ambiente di camera bianca utilizzando strumenti antistatici. Il wafer deve essere conservato nella sua confezione sigillata e protettiva, in condizioni di temperatura controllata e bassa umidità, per evitare la contaminazione della superficie e i danni meccanici.

Informazioni aggiuntive

L'ossido di alluminio (Al2O3) è ampiamente utilizzato per la sua elevata stabilità termica, durezza e inerzia chimica. La sua struttura cristallina gioca un ruolo fondamentale nel determinare le caratteristiche fisiche richieste per applicazioni avanzate di semiconduttori e optoelettronica.

La comprensione dell'impatto dell'orientamento cristallografico sul comportamento del substrato è essenziale per ottimizzare le prestazioni dei dispositivi. La ricerca in questo settore esplora continuamente l'equilibrio tra la minimizzazione dei difetti e l'allineamento preciso, influenzando direttamente la resa e la funzionalità negli ambienti di produzione ad alta tecnologia.