AL10285 Wafer di zaffiro Al2O3 M Plane (10-10) Dia. 3 pollici x 0,5 mm

Wafer di zaffiro Al2O3 M Plane (10-10) Dia. 3 pollici x 0,5 mm Descrizione

Il Sapphire Wafer Al2O3 M Plane (10-10) Dia. 3 pollici x 0,5 mm utilizza Al2O3 di elevata purezza per fornire un substrato con orientamento M plane (10-10). Il diametro di 3 pollici e lo spessore di 0,5 mm garantiscono la compatibilità con le apparecchiature standard per la lavorazione dei semiconduttori. L'orientamento cristallografico specifico contribuisce alla crescita uniforme dello strato epitassiale e riduce la densità dei difetti durante la deposizione del film. Questa precisa qualità del substrato è fondamentale per le applicazioni che richiedono proprietà controllate del film e riproducibilità del processo.

Wafer di zaffiro Al2O3 M Plane (10-10) Dia. 3 pollici x 0,5 mm Applicazioni

1.Produzione di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come substrato nella produzione di LED e transistor per ottenere una deposizione uniforme del film sfruttando il suo preciso orientamento del piano M.
- Applicato come base nell'assemblaggio di dispositivi ad alta frequenza per migliorare l'integrità del segnale sfruttando la sua inerzia e stabilità chimica.

2.Optoelettronica
- Serve come piattaforma nelle strutture dei diodi laser per migliorare la coerenza dello strato attivo sfruttando la sua struttura cristallina uniforme.
- Utilizzato nei dispositivi fotonici per ridurre al minimo le perdite per dispersione grazie alle sue caratteristiche superficiali controllate.

Wafer di zaffiro Al2O3 M Plane (10-10) Dia. 3 pollici x 0,5 mm Imballaggio

Il wafer è confezionato in un contenitore antistatico progettato su misura e rivestito di schiuma morbida per evitare danni fisici e contaminazioni. Ogni wafer è sigillato in una busta in atmosfera inerte per proteggere dall'umidità e dall'ingresso di particelle. Le raccomandazioni per la conservazione includono condizioni fresche e asciutte, mentre le opzioni di personalizzazione, come l'etichettatura individuale e gli inserti modulari, sono disponibili per supportare i vari requisiti di gestione e conservazione.

Domande frequenti

Q1: Quali tecniche di lavorazione vengono utilizzate per verificare la qualità della superficie del wafer?
A1: Il wafer viene sottoposto a una valutazione della superficie mediante microscopia ottica ad alta risoluzione e interferometria. Questa ispezione identifica i difetti della superficie e verifica la planarità, assicurando che il wafer soddisfi i severi requisiti dei processi di deposizione.

D2: Come influisce l'orientamento del piano M (10-10) sulla crescita del film sottile?
A2: L'orientamento del piano M (10-10) assicura una disposizione atomica uniforme sulla superficie, che facilita la nucleazione e la crescita coerente dei film epitassiali, contribuendo a ridurre al minimo la densità dei difetti e a migliorare le prestazioni elettriche dei dispositivi a semiconduttore.

D3: Quali protocolli di conservazione sono consigliati per mantenere l'integrità del wafer?
A3: Il wafer deve essere conservato in un ambiente controllato con bassa umidità e temperatura stabile per prevenire la contaminazione e mantenere le proprietà della superficie. Un imballaggio protettivo che riduca al minimo le vibrazioni e l'esposizione al particolato è essenziale durante lo stoccaggio e il trasporto.

Informazioni aggiuntive

I substrati di ossido di alluminio (Al2O3) svolgono un ruolo cruciale in diverse applicazioni di semiconduttori e optoelettronica grazie alla loro stabilità termica e inerzia chimica. L'orientamento cristallografico, in particolare il piano M (10-10) in questo caso, è fondamentale per ottimizzare la crescita epitassiale dei film sottili, assicurando una deposizione coerente tra gli strati del dispositivo. I ricercatori tengono spesso conto di questi fattori quando selezionano substrati per applicazioni sensibili.

I protocolli dettagliati di ingegneria superficiale e di trattamento dei materiali utilizzati in questi wafer forniscono indicazioni sulle tecniche avanzate di preparazione dei substrati. La comprensione di questi metodi aiuta a prevedere il comportamento dei wafer durante i successivi processi di fabbricazione dei dispositivi, contribuendo così all'ottimizzazione delle prestazioni complessive dei dispositivi in ambito industriale.