AL10283 Wafer di zaffiro Al2O3 (0001) Dia. 2 pollici x 0,5 mm

Wafer di zaffiro Al2O3 (0001) Dia. 2 pollici x 0,5 mm Descrizione

Il wafer di zaffiro Al2O3 (0001) Dia. 2 pollici x 0,5 mm è un wafer di allumina a cristallo singolo con orientamento controllato (0001). Il diametro di 2 pollici e lo spessore di 0,5 mm garantiscono la compatibilità con le apparecchiature standard per la lavorazione dei semiconduttori. La sua superficie atomicamente piatta e la bassa densità di difetti supportano la deposizione di film epitassiali di alta precisione. La composizione del substrato (Al2O3) garantisce un'eccellente resistenza chimica e stabilità termica, rendendolo adatto alla fabbricazione di dispositivi ottici ed elettronici avanzati.

Wafer di zaffiro Al2O3 (0001) Dia. 2 pollici x 0,5 mm Applicazioni

Elettronica
- Utilizzato come substrato nei dispositivi a semiconduttore per ottenere una crescita uniforme dello strato epitassiale sfruttando l'orientamento cristallografico controllato del wafer (0001).
- Applicato nella produzione di LED per supportare la deposizione di film di alta qualità grazie alla sua superficie atomicamente liscia.

Industriale
- Utilizzato come barriera dielettrica nei sensori ad alta temperatura per mantenere la stabilità delle prestazioni, sfruttando la resistenza chimica e termica dell'Al2O3.
- Impiegato come substrato di precisione nei dispositivi ottici per garantire proprietà di trasmissione della luce costanti grazie alla sua bassa densità di difetti.

Wafer di zaffiro Al2O3 (0001) Dia. 2 pollici x 0,5 mm Imballaggio

I wafer sono fissati singolarmente in supporti antistatici per camere bianche e imbottiti con inserti di schiuma per evitare danni meccanici. Successivamente vengono sigillati in buste in atmosfera inerte per ridurre al minimo la contaminazione da umidità e particolato. Il processo di confezionamento comprende rivestimenti antigraffio ed etichette per la tracciabilità. Si consiglia di conservare i prodotti in condizioni di temperatura e umidità controllate, ma sono disponibili opzioni di personalizzazione per requisiti di manipolazione specifici.

Domande frequenti

Q1: Come fa SAM a controllare la densità dei difetti nei wafer di zaffiro?
A1: SAM impiega tecniche di metrologia superficiale quantitativa, tra cui la microscopia elettronica a scansione e la microscopia a forza atomica, per monitorare e controllare la densità dei difetti. Ciò garantisce che il wafer mantenga la rigorosa planarità e uniformità richiesta per i processi epitassiali di alta precisione nelle applicazioni avanzate dei semiconduttori.

D2: Quali misure vengono adottate durante la produzione per ottenere l'orientamento (0001)?
A2: Il processo di produzione prevede una crescita controllata dei cristalli utilizzando allumina di elevata purezza con procedure rigorose di allineamento dell'orientamento. Trattamenti termici specializzati e misurazioni in linea della diffrazione a raggi X assicurano che il wafer finale presenti costantemente l'orientamento (0001) necessario per un'integrazione affidabile del dispositivo.

D3: Quali sono le condizioni di conservazione consigliate per questi wafer?
A3: I wafer devono essere conservati in un ambiente pulito, a temperatura controllata e con bassa umidità, possibilmente in contenitori antistatici. In questo modo si riduce al minimo l'esposizione all'umidità e ai contaminanti che potrebbero compromettere l'integrità della superficie e le prestazioni durante la successiva lavorazione.

Informazioni aggiuntive

L'allumina (Al2O3) è ampiamente riconosciuta nella scienza dei materiali per la sua stabilità termica e l'inerzia chimica, che rendono i wafer di zaffiro un componente integrale in molti processi di fabbricazione elettronica e ottica. L'orientamento controllato (0001) non solo ottimizza le proprietà superficiali, ma migliora anche la compatibilità con le tecniche di deposizione a film sottile, che è fondamentale per la produzione di dispositivi moderni.

Il controllo rigoroso dell'orientamento dei cristalli e della finitura superficiale di questi substrati è fondamentale per il progresso delle applicazioni ad alte prestazioni. La comprensione dell'interazione tra le condizioni di lavorazione e le proprietà dei materiali aiuta a promuovere le innovazioni nella tecnologia dei semiconduttori e in altri ambienti di lavorazione ad alta temperatura.