AL10282 Wafer di zaffiro Al2O3 (0001) 100 mm Dia. x 0,65 mm

Sapphire Wafer Al2O3 (0001) 100 mm Dia. x 0,65 mm Descrizione

Sapphire Wafer Al2O3 (0001) 100 mm Dia. x 0,65 mm è un substrato cristallino fabbricato con precisione composto da ossido di alluminio. L'orientamento definito (0001) e le strette tolleranze dimensionali consentono la compatibilità con le apparecchiature standard di lavorazione dei semiconduttori. Lo spessore uniforme e la bassa densità di difetti facilitano le deposizioni epitassiali di alta precisione e la fabbricazione di dispositivi microelettronici, supportando i processi di ricerca e sviluppo di materiali avanzati.

Wafer di zaffiro Al2O3 (0001) 100 mm di diametro x 0,65 mm Applicazioni

Elettronica
- Utilizzo come substrato nei dispositivi a semiconduttore per ottenere una deposizione epitassiale uniforme sfruttando l'orientamento cristallografico controllato (0001).

Optoelettronica
- Applicato come materiale di base nella produzione di LED e diodi laser per migliorare la chiarezza ottica sfruttando l'elevata trasmittanza ottica e la precisa planarità della superficie.

Ricerca scientifica
- Utilizzato come piattaforma di prova per studi avanzati sui materiali, per ottenere basse densità di dislocazioni sfruttando la sua struttura cristallina coerente e lo spessore uniforme.

Wafer di zaffiro Al2O3 (0001) 100 mm Dia. x 0,65 mm Imballaggio

I wafer sono fissati singolarmente in supporti antistatici e imbottiti e collocati in vassoi rigidi compatibili con le camere bianche. Sono confezionati con materiali resistenti all'umidità per evitare la contaminazione. Le raccomandazioni per lo stoccaggio includono un ambiente asciutto e a temperatura controllata. Sono disponibili opzioni di etichettatura personalizzata e di confezionamento a compartimenti stagni per soddisfare protocolli specifici di stoccaggio e manipolazione.

Domande frequenti

Q1: Come fa SAM a garantire la planarità della superficie del wafer e il controllo dei difetti?
A1: SAM impiega l'interferometria ottica e l'ispezione SEM durante la lavorazione per misurare la planarità della superficie e monitorare la densità dei difetti, assicurando che ogni wafer soddisfi criteri di prestazione rigorosi per i successivi processi di produzione.

D2: Quali misure vengono adottate per prevenire la contaminazione durante la manipolazione dei wafer?
A2: I wafer vengono lavorati in condizioni di camera bianca e confezionati in contenitori antistatici e resistenti all'umidità. Queste misure riducono al minimo la ricaduta di particolato e la contaminazione superficiale, preservando l'integrità strutturale del wafer.

D3: In che modo le tolleranze dimensionali influiscono sulla lavorazione a valle?
A3: La costanza del diametro e dello spessore influisce direttamente sull'uniformità del processo di deposizione epitassiale. Le tolleranze strette garantiscono la compatibilità con gli strumenti di lavorazione standard, riducendo la variabilità nella fabbricazione dei dispositivi.

Ulteriori informazioni

L'ossido di alluminio (Al2O3) svolge un ruolo fondamentale in diverse applicazioni ad alte prestazioni grazie alla sua inerzia chimica e alle sue eccellenti proprietà termiche. I substrati di zaffiro sono ampiamente utilizzati nei dispositivi ottici e a semiconduttore, dove sono essenziali una precisa uniformità microstrutturale e una bassa densità di difetti.

Metodi di fabbricazione avanzati, tra cui la deposizione da vapore chimico e la profilometria di superficie, consentono un controllo accurato dell'orientamento e dello spessore dei cristalli. Questa precisione è fondamentale per le applicazioni nella microelettronica e nella ricerca sui materiali, dove anche minime variazioni possono influire sulle prestazioni complessive del dispositivo.