AL10281 Wafer di zaffiro Al2O3 (0001) Dia. 3 pollici x 0,43 mm

Wafer di zaffiro Al2O3 (0001) Dia. 3 pollici x 0,43 mm Descrizione

Il wafer di zaffiro Al2O3 (0001) Dia. 3 pollici x 0,43 mm è un substrato formato da ossido di alluminio monocristallino (Al2O3) con orientamento (0001). Il diametro di 3 pollici e lo spessore di 0,43 mm forniscono una dimensione standardizzata per l'integrazione nei processi di produzione di semiconduttori e optoelettronica. Il wafer presenta una superficie atomicamente liscia che aiuta a ridurre la propagazione dei difetti durante la deposizione dello strato epitassiale. L'inerzia chimica e la stabilità termica ne favoriscono l'impiego in ambienti che richiedono prestazioni operative prolungate.

Wafer di zaffiro Al2O3 (0001) Dia. 3 pollici x 0,43 mm Applicazioni

1.Elettronica
- Utilizzo come substrato nella produzione di LED per ottenere uno strato epitassiale uniforme sfruttando la superficie atomicamente piatta del wafer.
- Applicato come strato tampone nei dispositivi a semiconduttore per ridurre la densità dei difetti sfruttando la sua inerzia chimica.

2.Optoelettronica
- Serve come base negli assemblaggi di diodi laser per ottenere una maggiore uniformità ottica sfruttando l'orientamento controllato (0001).
- Utilizzato come piattaforma di montaggio nei circuiti ad alta frequenza per ridurre la perdita di segnale, sfruttando la sua elevata stabilità termica.

Wafer di zaffiro Al2O3 (0001) Dia. 3 pollici x 0,43 mm Imballaggio

I wafer sono confezionati in supporti a dissipazione statica e fissati in contenitori imbottiti e antigraffio per evitare danni meccanici. Sono conservati in ambienti a temperatura controllata con barriere antiumidità per evitare contaminazioni. Su richiesta sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate con etichettatura e compartimentazione aggiuntive per mantenere l'integrità del substrato durante il trasporto e lo stoccaggio.

Domande frequenti

Q1: Come influisce il processo di trattamento termico sul wafer?
A1: Il trattamento termico viene eseguito in condizioni controllate per ridurre al minimo lo stress termico. La stabilità termica intrinseca del wafer garantisce cambiamenti strutturali minimi durante le fasi di ricottura standard, preservando la morfologia superficiale e la qualità cristallina per la successiva fabbricazione del dispositivo.

D2: Quali precauzioni di manipolazione sono consigliate durante la pulizia dei wafer?
A2: Si consiglia di utilizzare tecniche di pulizia non abrasive in un ambiente di camera bianca. Evitare le sollecitazioni meccaniche e la contaminazione utilizzando solventi ultra puri e materiali privi di lanugine per mantenere l'integrità della superficie del substrato e prevenire l'introduzione di difetti.

D3: È possibile personalizzare le dimensioni dei wafer o i trattamenti superficiali?
R3: È possibile personalizzare le dimensioni e le modifiche della superficie. Richieste specifiche come spessori alternativi o trattamenti superficiali post-processo vengono valutate caso per caso per soddisfare particolari requisiti di integrazione nei processi industriali.

Informazioni aggiuntive

L'ossido di alluminio (Al2O3) è un materiale ceramico fondamentale noto per la sua durezza, la resistenza chimica e l'elevato punto di fusione, che lo rendono adatto a varie applicazioni ad alte prestazioni. La sua forma monocristallina, comunemente nota come zaffiro, è fondamentale nei settori in cui sono essenziali proprietà ottiche e isolanti superiori.

Lo sviluppo e la lavorazione dei wafer di zaffiro comportano un rigoroso controllo della qualità e metodi di deposizione avanzati. Questi processi assicurano basse densità di difetti e caratteristiche superficiali migliorate, importanti per le applicazioni nei dispositivi a semiconduttore, nell'optoelettronica e in altri settori industriali.