AL10272 Wafer di zaffiro Al2O3 piano C (0001) Dia. 3 pollici x 0,5 mm

Wafer di zaffiro Al2O3 piano C (0001) Dia. 3 pollici x 0,5 mm Descrizione

Questo wafer è costituito da Al2O3 monocristallino, noto per l'elevato punto di fusione e la stabilità chimica. L'orientamento del piano C (0001) garantisce una superficie liscia e uniforme, essenziale per la deposizione uniforme di film sottili e la fabbricazione di dispositivi. Il diametro di 3 pollici e lo spessore di 0,5 mm sono mantenuti con tolleranze strette per adattarsi alle attrezzature standard per la lavorazione dei semiconduttori. Le proprietà del materiale supportano le applicazioni che richiedono un'elevata rigidità dielettrica e resistenza agli shock termici.

Wafer di zaffiro Al2O3 piano C (0001) Dia. 3 pollici x 0,5 mm Applicazioni

1.Produzione di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come substrato nei circuiti integrati per ottenere una crescita uniforme del film sfruttando l'orientamento cristallografico costante.
- Applicato come piattaforma per strati epitassiali nella fabbricazione di LED per migliorare le prestazioni del dispositivo grazie alle proprietà superficiali controllate.

2.Optoelettronica e sensori
- Serve come base nei sensori ottici per migliorare l'uniformità del segnale utilizzando la sua bassa rugosità superficiale.
- Utilizzato nei dispositivi fotonici per facilitare la trasmissione della luce sfruttando l'elevata trasparenza e la stabilità chimica del materiale.

Wafer di zaffiro Al2O3 piano C (0001) Dia. 3 pollici x 0,5 mm Confezione

Il wafer è fissato singolarmente in un imballaggio antistatico di grado "clean room" per ridurre al minimo la contaminazione da particolato e i danni meccanici. È racchiuso in un supporto acrilico e imbottito con inserti di schiuma. La confezione è sigillata in un involucro inerte e resistente all'umidità per mantenere l'integrità della superficie durante il trasporto e lo stoccaggio. Le linee guida per la manipolazione supportano il mantenimento delle condizioni incontaminate del wafer e sono disponibili opzioni di personalizzazione per protocolli di manipolazione specifici.

Domande frequenti

Q1: Quali misure vengono adottate per controllare l'uniformità cristallografica del wafer?
A1: Il processo di produzione prevede una ricottura controllata ad alta temperatura e ispezioni in linea con la microscopia a forza atomica per valutare l'uniformità della superficie e rilevare eventuali deviazioni nell'orientamento (0001).

D2: In che modo la tolleranza di spessore del wafer influenza la fabbricazione del dispositivo?
A2: Uno spessore costante di 0,5 mm garantisce la compatibilità con le apparecchiature standard e un allineamento preciso durante la fotolitografia, riducendo così le variazioni di processo e migliorando le prestazioni del dispositivo.

D3: Quali sono le condizioni di conservazione consigliate per preservare le proprietà del wafer?
A3: Il wafer deve essere conservato in un ambiente a bassa umidità e temperatura regolata, all'interno di un imballaggio antistatico, per evitare la contaminazione della superficie e lo stress strutturale che potrebbero influire sulle sue prestazioni.

Informazioni aggiuntive

I wafer di ossido di alluminio (Al2O3) sono substrati essenziali in vari ambienti ad alta temperatura e corrosivi grazie alla loro eccellente stabilità termica e inerzia chimica. L'orientamento controllato del piano C è fondamentale per le applicazioni che richiedono un'energia superficiale uniforme, che influenza l'adesione del film e la crescita epitassiale.

La comprensione dell'importanza dell'orientamento cristallografico nei substrati di zaffiro può aiutare i ricercatori a ottimizzare le tecniche di deposizione e a perfezionare le architetture dei dispositivi. Queste conoscenze sono preziose per lo sviluppo di sistemi semiconduttori e optoelettronici avanzati, dove le proprietà del materiale hanno un impatto diretto sull'efficacia operativa.