AL10249 Wafer di zaffiro Al2O3 Piano A (11-20) 10x10x0,5 mm

Wafer di zaffiro Al2O3 A plane (11-20) 10x10x0,5 mm Descrizione

Il wafer di zaffiro Al2O3 piano A (11-20) 10x10x0,5 mm è un substrato cristallino composto da ossido di alluminio (Al2O3). Il taglio A plane (11-20) specificato produce un orientamento cristallografico coerente e una finitura superficiale liscia. Il formato 10x10 mm e lo spessore di 0,5 mm facilitano l'integrazione nelle apparecchiature di lavorazione standard. L'inerzia chimica e la stabilità termica ne migliorano le prestazioni nella fabbricazione di dispositivi elettronici e optoelettronici.

Wafer di zaffiro Al2O3 piano A (11-20) 10x10x0,5 mm Applicazioni

Elettronica e lavorazione dei semiconduttori
- Utilizzato come substrato nella fabbricazione di circuiti integrati per ottenere una deposizione uniforme di film sottili sfruttando l'orientamento cristallografico costante del wafer.
- Applicato come base per dispositivi di sensori in applicazioni ad alta frequenza per controllare la qualità dell'interfaccia utilizzando una rugosità superficiale minima.

Dispositivi optoelettronici
- Impiegato come piattaforma ottica in moduli LED e laser per migliorare la trasmissione della luce sfruttando la trasparenza e la stabilità termica intrinseche del materiale.

Applicazioni industriali e di ricerca
- Utilizzato come standard di calibrazione nella ricerca sui materiali per garantire risultati di misura precisi sfruttando dimensioni definite e bassa densità di difetti.

Wafer di zaffiro Al2O3 piano A (11-20) 10x10x0,5 mm Confezione

Ogni wafer è racchiuso in una busta imbottita e antistatica e sigillato all'interno di un contenitore rigido con barriera antiumidità. L'imballaggio è stato progettato per ridurre al minimo la contaminazione da particolato e proteggere dagli impatti meccanici durante il trasporto. Le raccomandazioni per lo stoccaggio includono un ambiente controllato, a bassa umidità e temperatura stabile. Su richiesta sono disponibili soluzioni di confezionamento personalizzate, compresi contenitori compartimentati o etichettati, per adattarsi a protocolli di manipolazione specifici.

Domande frequenti

Q1: In che modo il taglio del piano A (11-20) influisce sulle prestazioni del wafer?
A1: Il taglio del piano A (11-20) fornisce una superficie cristallografica uniforme che facilita la deposizione coerente del film sottile e riduce al minimo la variazione delle proprietà del substrato, che è fondamentale per la fabbricazione precisa dei dispositivi.

D2: Che ruolo hanno le dimensioni del wafer nella compatibilità di lavorazione?
A2: Le dimensioni di 10x10 mm e lo spessore di 0,5 mm assicurano che il wafer si adatti alle apparecchiature standard per la lavorazione dei semiconduttori, riducendo così la necessità di modificare le routine di manipolazione e integrazione durante la produzione dei dispositivi.

D3: Quali sono le misure utilizzate per ridurre al minimo i difetti superficiali durante la produzione?
A3: Il processo di produzione incorpora metodi avanzati di controllo della qualità come la microscopia elettronica a scansione e la profilometria per ispezionare e verificare l'uniformità della superficie, riducendo così l'incidenza dei microdifetti.

Ulteriori informazioni

Lo zaffiro, o Al2O3 cristallino, possiede elevata durezza, stabilità termica e inerzia chimica. Questi attributi ne favoriscono l'utilizzo come substrato nella fabbricazione di dispositivi elettronici e optoelettronici, dove sono fondamentali interferenze minime e prestazioni ottimali. I suoi orientamenti cristallografici ben definiti aiutano a ottenere una deposizione precisa del film, un requisito essenziale negli ambienti di produzione ad alta precisione.

Nella ricerca sulla scienza dei materiali, i wafer di zaffiro sono spesso utilizzati come standard di calibrazione e substrati per lo sviluppo di nuove tecnologie a film sottile. Le loro proprietà meccaniche e ottiche uniche consentono ai ricercatori di esplorare architetture di dispositivi avanzati, mantenendo la coerenza del comportamento di base del materiale.