AL10243 Wafer in zaffiro Al2O3 piano C (0001) 1 pollice x 1 pollice x 0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 1 pollice x 1 pollice x 0,5 mm Descrizione

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 1 pollice x 1 pollice x 0,5 mm è un substrato di elevata purezza ricavato da ossido di alluminio con uno specifico orientamento cristallografico (0001). Il formato di 1 pollice per 1 pollice con uno spessore di 0,5 mm garantisce la compatibilità con le apparecchiature di lavorazione standard. La sua finitura superficiale controllata supporta la crescita epitassiale e riduce al minimo la densità dei difetti. La trasparenza ottica intrinseca facilita l'ispezione precisa della superficie e la verifica della qualità nei processi di fabbricazione dei semiconduttori.

Wafer di zaffiro Al2O3 piano C (0001) 1 pollice x 1 pollice x 0,5 mm Applicazioni

Elettronica
- Utilizzato come substrato nella produzione di LED per ottenere un'emissione luminosa uniforme sfruttando la superficie del piano C ridotta al minimo dei difetti.
- Applicato come strato di base nei circuiti a microonde per ridurre la perdita di segnale sfruttando le sue proprietà di bassa perdita dielettrica.

Industriale
- Utilizzato come barriera isolante nell'elettronica di potenza per ridurre il degrado termico, sfruttando la sua elevata resistenza al calore.
- Applicato come strato protettivo nei gruppi di sensori per attenuare l'ossidazione, sfruttando l'inerzia chimica del materiale.

Wafer di zaffiro Al2O3 piano C (0001) 1 pollice x 1 pollice x 0,5 mm Confezione

Il wafer è imballato in un contenitore antistatico, a prova di polvere, con un'imbottitura in schiuma per ridurre al minimo l'impatto meccanico. Viene sigillato in una confezione a umidità controllata e conservato a temperatura ambiente per prevenire la contaminazione e preservare l'integrità della superficie. Per gli ambienti che richiedono un controllo rigoroso del particolato e la tracciabilità, sono disponibili buste sigillate sottovuoto ed etichettature personalizzate.

Domande frequenti

Q1: Quali tecniche utilizza SAM per verificare la planarità dei wafer e la densità dei difetti?
A1: SAM utilizza la microscopia ottica abbinata all'analisi interferometrica per quantificare con precisione la planarità della superficie e identificare i difetti su microscala. Queste misure forniscono dati essenziali per mantenere l'uniformità richiesta nei successivi processi dei semiconduttori.

D2: In che modo l'orientamento del piano C (0001) favorisce le prestazioni del substrato?
A2: L'orientamento del piano C (0001) assicura una struttura reticolare uniforme, che supporta una crescita coerente del film epitassiale e riduce al minimo i difetti superficiali. Questo orientamento contribuisce a ridurre le perdite di dispersione durante le ispezioni ottiche e migliora l'accuratezza della lavorazione.

D3: Le dimensioni dei wafer possono essere personalizzate per la compatibilità con apparecchiature specifiche?
A3: Le dimensioni dei wafer possono essere personalizzate in base ai requisiti di processo. Le richieste specifiche relative al diametro o allo spessore vengono esaminate per garantire che i parametri di crescita cristallina e l'uniformità del processo rimangano entro limiti accettabili. Si consiglia di coordinarsi con il team tecnico di SAM.

Informazioni aggiuntive

I substrati di zaffiro, composti da ossido di alluminio (Al2O3), sono ampiamente utilizzati nella lavorazione dei semiconduttori grazie alla loro eccellente conducibilità termica e inerzia chimica. Le loro proprietà cristallografiche uniche facilitano la deposizione uniforme di strati epitassiali, rendendoli adatti ad applicazioni di alta precisione in cui la qualità della superficie è fondamentale.

I recenti progressi nella crescita dei cristalli e nei metodi di analisi della superficie hanno ampliato l'applicabilità dei wafer di zaffiro nell'elettronica e nell'optoelettronica. Questi substrati fungono da componenti strutturali e isolanti, favorendo la miniaturizzazione dei dispositivi e il miglioramento delle prestazioni in ambienti ad alta temperatura e ad alta frequenza.