Fuori produzione (Fuori produzione) GA2156 Substrato a cristallo singolo di antimoniuro di gallio (GaSb)

Catalogo no.	GA2156
La purezza	99.99%
Formula chimica	GaSb
Diametro	2", 3", 4"
Spessore	500±25 μm, 600±25 μm, 800±25μm
Orientamento	(100) / (111) ±0.5°

Stanford Advanced Materials (SAM) offre substrati di GaSb a cristallo singolo e fornisce ai clienti la più ampia scelta di materiali GaSb con elevata uniformità delle proprietà elettriche ed eccellente qualità superficiale.

Prodotti correlati:Substrati di nitruro di alluminio, arseniuro di gallio (GaAs), polvere di nitruro di gallio (GaN), seleniuro di gallio (III) (Ga2Se3).

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GA2156 Gallium Antimonide Single Crystal Substrate

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Numero CAS	12064-03-8
Formula molecolare	GaSb
Peso molecolare	191.48
Aspetto	Substrato a cristallo singolo
Densità	5,619 g/mL
Punto di fusione	710°C
Odore	Inodore

Diametro	2"	3"	4"
Mobilità (cm2V-1S-1)	600-700
Concentrazione del portatore (cm-3)	(1-2)*¹⁰¹⁷
Diametro (mm)	50.5±0.5	76.2±0.5	100.0±0.5
Spessore (μm)	500±25	600±25	800±25
Orientamento	(100) / (111) ±0.5°
Lunghezza del piano primario (mm)	16±2	22±2	32.5±2
Lunghezza bordo di posizionamento secondario (mm)	8±1	11±1	18±1
TTV (μm)	<10	<10	<20
Arco(μm)	<10	<10	<20
Ordito(μm)	<15	<15	<20

Simbolo	GHS07, GHS09
Parola segnale	Avvertenza
Indicazioni di pericolo	H302 + H332-H411
Consigli di prudenza	P273
Dispositivi di protezione personale	Maschera antipolvere tipo N95 (US), Occhiali, Guanti
RIDADR	UN 3077 9 / PGIII
WGK Germania	2

Numero CAS	12064-03-8
Formula molecolare	GaSb
Peso molecolare	191.48
Aspetto	Substrato a cristallo singolo
Densità	5,619 g/mL
Punto di fusione	710°C
Odore	Inodore

Fuori produzione (Fuori produzione) GA2156 Substrato a cristallo singolo di antimoniuro di gallio (GaSb)

Descrizione del substrato in cristallo singolo di antimoniuro di gallio

Specifiche del substrato di cristallo singolo di antimoniuro di gallio

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