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Wafer di ossido di gallio CY4611

Catalogo no. CY4611
Materiale β-Ga2O3
Grado Primo Grado
Dimensioni Dia. 25,4 mm-50,8 mm, lunghezza 5 mm-15 mm, o personalizzato
Banda passante 4,8~4,9eV
Orientamento <201> <010>

L'ossido di gallio è un materiale semiconduttore ad ampio bandgap. Stanford Advanced Materials (SAM) ha una ricca esperienza nella produzione e nella fornitura di prodotti ottici di alta qualità.

Prodotti correlati: Wafer di nitruro di gallio, Wafer di fosfuro di gallio, Wafer di zaffiro, Wafer di silicio

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