Fuori produzione (Fuori produzione) GA5392 Cristallo di tellururo di gallio (GaTe)

Catalogo no.	GA5392
Materiale	GaTe
Numero CAS	12024-14-5
Struttura cristallina	Fase monoclina
La purezza	99.9999%

Ilcristallo di tellururo di gallio (GaTe) è un semiconduttore, ovvero ha una conducibilità elettrica intermedia tra quella dei metalli e quella degli isolanti. Stanford Advanced Materials (SAM) offre prodotti ottici rinomati per l'eccezionale qualità, il tutto a prezzi altamente competitivi.

Prodotti correlati: Substrati a cristallo singolo di tellururo di piombo (PbTe), Substrato a cristallo singolo di tellururo di zinco ZnTe, Cristallo di tellururo di molibdeno (MoTe2)

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Dimensioni del cristallo	>1 cm
Proprietà del materiale	Semiconduttore diretto da 1,65 eV
Struttura del cristallo	Fase monoclina
Parametri della cella unitaria	a = 0,416 nm, b = 0,934 nm, c = 1,086 nm, α = 106,05 β = 90, γ = 102,8
Metodo di crescita	Crescita Bridgman
Purezza	>99.9999 %

Dimensione del cristallo	>1 cm
Proprietà del materiale	semiconduttore diretto a 1,65 eV
Struttura cristallina	Fase monoclina
Parametri della cella unitaria	a = 0,416 nm, b = 0,934 nm, c = 1,086 nm, α = 106,05 β = 90, γ = 102,8
Metodo di crescita	Crescita Bridgman
Purezza	>99.9999 %

Fuori produzione (Fuori produzione) GA5392 Cristallo di tellururo di gallio (GaTe)

Descrizione del cristallo di tellururo di gallio (GaTe)

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