Fuori produzione (Fuori produzione) GA5392 Cristallo di tellururo di gallio (GaTe)

Catalogo no.	GA5392
Materiale	GaTe
Numero CAS	12024-14-5
Struttura cristallina	Fase monoclina
La purezza	99.9999%

Ilcristallo di tellururo di gallio (GaTe) è un semiconduttore, ovvero ha una conducibilità elettrica intermedia tra quella dei metalli e quella degli isolanti. Stanford Advanced Materials (SAM) offre prodotti ottici rinomati per l'eccezionale qualità, il tutto a prezzi altamente competitivi.

Prodotti correlati: Substrati a cristallo singolo di tellururo di piombo (PbTe), Substrato a cristallo singolo di tellururo di zinco ZnTe, Cristallo di tellururo di molibdeno (MoTe2)

Richiesta

Descrizione

Specificazione

Recensioni

ULTIMO RACCOMANDATO

Gallium Sulfide Sputtering Target, Ga2S3 Target

ST11189 Target di sputtering al solfuro di gallio, target Ga2S3

Copper Gallium (Cu/Ga) Evaporation Materials

VD0621 Materiali per l'evaporazione di rame e gallio (Cu/Ga)

Gallium (III) Nitrate Hydrate (Ga(NO3)3) Powder (CAS No.69365-72-6)

GA1145 Nitrato di gallio (III) idrato (Ga(NO3)3) in polvere (n. CAS 69365-72-6)

GA2153 Polvere di solfato di gallio (III) (Ga2(SO4)3) (N. CAS 13494-91-2)

GA2623 Gallium (III) Fluoride Powder, GaF3 Powder (CAS 7783-51-9)

GA2623 Fluoruro di gallio (III) in polvere, polvere GaF3 (CAS 7783-51-9)

GA2624 Gallium (III) Iodide Powder, GaI3 Powder (CAS 13450-791-4)

GA2624 Ioduro di gallio (III) in polvere, polvere di GaI3 (CAS 13450-791-4)

GA3162 Acetilacetonato di gallio(III) (CAS: 14405-43-7)

Gallium Bromide (GaBr3) (CAS No. 13450-88-9)

BR3879 Bromuro di gallio (GaBr3) (n. CAS 13450-88-9)

Richiedi un preventivo

Inviaci oggi stesso una richiesta per saperne di più e ricevere i prezzi più aggiornati. Grazie!

* Il suo nome

* La sua email

Per una rapida elaborazione, si prega di utilizzare l'indirizzo e-mail aziendale.

* Nome del prodotto

* Il vostro telefono

* Paese

Stati Uniti

Commenti

Desidero iscrivermi alla mailing list per ricevere aggiornamenti da Stanford Advanced Materials.

Attach Drawing:

Drop files here or

* Codice di controllo

Accepted file types: PDF, png, jpg, jpeg. Upload multiple files at once; each file must be under 2MB.

Dimensioni del cristallo	>1 cm
Proprietà del materiale	Semiconduttore diretto da 1,65 eV
Struttura del cristallo	Fase monoclina
Parametri della cella unitaria	a = 0,416 nm, b = 0,934 nm, c = 1,086 nm, α = 106,05 β = 90, γ = 102,8
Metodo di crescita	Crescita Bridgman
Purezza	>99.9999 %

Dimensione del cristallo	>1 cm
Proprietà del materiale	semiconduttore diretto a 1,65 eV
Struttura cristallina	Fase monoclina
Parametri della cella unitaria	a = 0,416 nm, b = 0,934 nm, c = 1,086 nm, α = 106,05 β = 90, γ = 102,8
Metodo di crescita	Crescita Bridgman
Purezza	>99.9999 %

Fuori produzione (Fuori produzione) GA5392 Cristallo di tellururo di gallio (GaTe)

Descrizione del cristallo di tellururo di gallio (GaTe)

Specifiche dei cristalli di tellururo di gallio (GaTe)

Cristallo di tellururo di gallio (GaTe) Applicazione

Imballaggio dei cristalli di tellururo di gallio (GaTe)

Specificazione

SDS

Cas

RECENSIONI DEI CLIENTI

ULTIMO RACCOMANDATO

Richiedi un preventivo

HAI BISOGNO DI AIUTO?

CATEGORIE POPOLARI

LA NOSTRA AZIENDA