Descrizione del cristallo di tellururo di gallio (GaTe)
Ilcristallo di tellururo di gallio (GaTe) cristallizza tipicamente in una struttura reticolare esagonale. Il GaTe è un semiconduttore, ovvero ha una conducibilità elettrica intermedia tra quella dei metalli e quella degli isolanti. Le proprietà elettriche e ottiche del GaTe lo rendono adatto a diverse applicazioni elettroniche.
I cristalli monocristallini di GaTe (tellururo di gallio) sono dotati di anisotropia garantita e di qualità cristallina di tipo elettronico e ottico. Sono sviluppati presso i nostri stabilimenti utilizzando tre diverse tecniche di crescita, ovvero la crescita Bridgman, il trasporto di vapore chimico (CVT) e la crescita a zona di flusso, per ottimizzare le dimensioni dei grani e ridurre le concentrazioni di difetti.
Specifiche dei cristalli di tellururo di gallio (GaTe)
Dimensioni del cristallo
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>1 cm
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Proprietà del materiale
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Semiconduttore diretto da 1,65 eV
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Struttura del cristallo
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Fase monoclina
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Parametri della cella unitaria
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a = 0,416 nm, b = 0,934 nm, c = 1,086 nm, α = 106,05 β = 90, γ = 102,8
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Metodo di crescita
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Crescita Bridgman
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Purezza
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>99.9999 %
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Cristallo di tellururo di gallio (GaTe) Applicazione
- Optoelettronica: Il GaTe è potenzialmente adatto all'uso in fotorivelatori e diodi ad emissione di luce (LED).
- Dispositivi termoelettrici: Le prestazioni termoelettriche del GaTe sono interessanti per un potenziale utilizzo in generatori o raffreddatori termoelettrici.
- Dispositivi semiconduttori: Come semiconduttore, il GaTe potrebbe trovare applicazione in vari dispositivi elettronici, come i transistor e altri componenti dei circuiti elettronici.
- Ricerca sui materiali: Il GaTe e composti simili sono spesso studiati per scopi di ricerca fondamentale nella scienza dei materiali.
Imballaggio dei cristalli di tellururo di gallio (GaTe)
Il nostro cristallo di tellururo di gallio (GaTe) viene trattato con cura durante lo stoccaggio e il trasporto per preservare la qualità del prodotto nelle sue condizioni originali.