GA5392 Cristallo di tellururo di gallio (GaTe)

Catalogo no.	GA5392
Materiale	GaTe
Numero CAS	12024-14-5
Struttura cristallina	Fase monoclina
La purezza	99.9999%

Ilcristallo di tellururo di gallio (GaTe) è un semiconduttore, ovvero ha una conducibilità elettrica intermedia tra quella dei metalli e quella degli isolanti. Stanford Advanced Materials (SAM) offre prodotti ottici rinomati per l'eccezionale qualità, il tutto a prezzi altamente competitivi.

Prodotti correlati: Substrati a cristallo singolo di tellururo di piombo (PbTe), Substrato a cristallo singolo di tellururo di zinco ZnTe, Cristallo di tellururo di molibdeno (MoTe2)

Richiesta

Descrizione

Specificazione

ULTIMO RACCOMANDATO

VD0621 Materiali per l'evaporazione di rame e gallio (Cu/Ga)

VD0690 Materiali per l'evaporazione dell'ossido di indio-gallio-zinco (InGaZnOx)

VD0744 Ossido di zinco drogato con ossido di gallio (ZnO/Ga2O3) Materiali per l'evaporazione

VD0843 Materiali per l'evaporazione del seleniuro di rame-indio-gallio (CIGS)

VD0846 Materiali per l'evaporazione del seleniuro di gallio (Ga2Se3)

VD0860 Materiali per l'evaporazione del tellururo di gallio (Ga2Te3)

OX1127 Ossido di gallio (Ga2O3) in polvere (n. CAS 12024-21-4)

GA1143 Gallio metallo (Ga metallo)

NR1144 Nitruro di gallio in polvere (GaN) (n. CAS 25617-97-4)

Richiedi un preventivo

Inviaci una richiesta ora per scoprire ulteriori informazioni e gli ultimi prezzi, grazie!

* Il suo nome

* La sua email

* Nome del prodotto

* Il vostro telefono

* Paese

Italia

Commenti

Allegare i disegni:

Lasciare i file qui o

Formati di file accettati PDF, png, jpg, jpeg; se si caricano più file contemporaneamente, ogni file deve essere inferiore a 2 MB.

* Codice di controllo

Dimensioni del cristallo	>1 cm
Proprietà del materiale	Semiconduttore diretto da 1,65 eV
Struttura del cristallo	Fase monoclina
Parametri della cella unitaria	a = 0,416 nm, b = 0,934 nm, c = 1,086 nm, α = 106,05 β = 90, γ = 102,8
Metodo di crescita	Crescita Bridgman
Purezza	>99.9999 %

Dimensione del cristallo	>1 cm
Proprietà del materiale	semiconduttore diretto a 1,65 eV
Struttura cristallina	Fase monoclina
Parametri della cella unitaria	a = 0,416 nm, b = 0,934 nm, c = 1,086 nm, α = 106,05 β = 90, γ = 102,8
Metodo di crescita	Crescita Bridgman
Purezza	>99.9999 %

GA5392 Cristallo di tellururo di gallio (GaTe)

Descrizione del cristallo di tellururo di gallio (GaTe)

Specifiche dei cristalli di tellururo di gallio (GaTe)

Cristallo di tellururo di gallio (GaTe) Applicazione

Imballaggio dei cristalli di tellururo di gallio (GaTe)

Specificazione

SDS

ULTIMO RACCOMANDATO

Richiedi un preventivo

HAI BISOGNO DI AIUTO?

LA NOSTRA AZIENDA

CATEGORIE POPOLARI