CY3451 Wafer di silicio Ta/SiO2 rivestito di Cu, ＞99.99%

Catalogo no.	CY3451
Composizione (cubica)	Cu, Ta, SiO2
La purezza	＞99.99%
Dimensione	Ø 2, 4, 6, 8, 12" spessore 0,525 mm
Orientamento	Cu <111>

Ilwafer di silicio Ta/SiO2 rivestito di Cu può essere utilizzato in campo nano, nella microscopia elettronica a scansione (SEM), nella microscopia a forza atomica (AFM) e in altri campi del microscopio a scansione. Stanford Advanced Materials (SAM) ha una ricca esperienza nella produzione e fornitura di prodotti ottici di alta qualità.

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Purezza (%)	＞99.99
Dimensioni	Diametro di 2, 4, 6, 8, 12 pollici Spessore 0,525 mm Wafer Si Spessore 300 nm SiO2
Orientamento	Cu <111>
Spessore di Cu <111	400 nm
Spessore di Ta	50 nm
Resistività	1-20 ohm-cm
Struttura	Tipo P, drogato B, orientamento <100>, SSP

Purezza (%)	＞99.99
Dimensioni	Diametro di 2, 4, 6, 8, 12 pollici Spessore 0,525 mm Wafer di Si Spessore 300 nm SiO2
Orientamento	Cu <111>
Spessore di Cu <111	400 nm
Spessore di Ta	50 nm
Resistività	1-20 ohm-cm
Struttura	Tipo P, drogato B, orientamento <100>, SSP

CY3451 Wafer di silicio Ta/SiO2 rivestito di Cu, ＞99.99%

Descrizione del wafer di silicio Ta/SiO2 rivestito di Cu

Specifiche del wafer di silicio Ta/SiO2 rivestito di Cu

Wafer di silicio Ta/SiO2 rivestito di Cu Applicazioni

Imballaggio di wafer di silicio Ta/SiO2 rivestiti di Cu

Specificazione

SDS

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