Descrizione della piastra di base IGBT in carburo di silicio e alluminio
L'AlSiC è stato utilizzato per la prima volta nel substrato dei chip dei radar militari statunitensi per sostituire il rame al tungsteno. Dopo la sostituzione, l'effetto di dissipazione del calore è eccellente e la perdita di peso complessiva del radar è di 10 kg, il che fa sì che il materiale in carburo di alluminio-silicio attiri l'attenzione. I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ad alta corrente generano una grande quantità di calore durante il funzionamento. Il materiale AlSiC è solitamente utilizzato per fabbricare il substrato IGBT e il modulo IGBT ad alta potenza è saldamente imballato, in modo che il chip possa essere utilizzato in presenza di vibrazioni, alte temperature e polvere. La piastra di base IGBT in alluminio-carburo di silicio è molto leggera, pesa solo 1/3 del rame, ma la sua resistenza alla flessione è pari a quella dell'acciaio. Ciò la rende eccellente nelle prestazioni sismiche, superando il substrato di rame. Pertanto, nell'imballaggio elettronico ad alta potenza, le piastre di base IGBT in carburo di silicio e alluminio sono materiali insostituibili grazie alla loro combinazione unica di elevata conduttività termica, basso coefficiente di espansione termica e resistenza alla flessione.
Specifiche della piastra base IGBT in alluminio e carburo di silicio
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Lega di alluminio
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ZL101A
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Carburo di silicio
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Grado elettronico, frazione di volume 65
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Conduttività termica[(W/mK) @25°C]
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≥240
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Calore specifico (J/gK) @ 25°C
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0.803
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Espansione termica (CTE) ppm/°C
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(30°C-100°) 7.42
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(30°C-150°) 7.93
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(30°C-200°) 8.35
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Modulo di Young (GPa)
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158
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Modulo di taglio (GPa)
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75
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Resistenza alla flessione (MPa)
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300
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Allungamento percentuale a rottura（%）
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0.28
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Durezza alla frattura
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11.3
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Resistenza elettrica (µOhm-cm)
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20
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Ermeticità (atm-cm3/sHe)
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< 10 -9
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Applicazioni della piastra di base IGBT in alluminio e carburo di silicio
Lapiastra di base IGBT in carburo di silicio di alluminio trova le seguenti applicazioni:
-Elettrodomestici,
-Trasporto,
-Ingegneria energetica
-Energia rinnovabile
-Griglia intelligente
-Controllo del traffico
-Conversione di potenza
-Motori industriali
-Ininterrotti
-Forniture di energia
-Apparecchiature eoliche e solari
-Convertitori di frequenza per controllo automatico
Imballaggio della piastra di base IGBT in alluminio e carburo di silicio
Utilizziamo il sigillo sottovuoto per riempire il cartone e prevenire gli urti. Viene prestata la massima attenzione per evitare qualsiasi danno che potrebbe essere causato durante lo stoccaggio o il trasporto della piastra di base IGBT in carburo di silicio di alluminio.
